近日，三星電子展示了全球第一款單條容量高達(dá)256GB的內(nèi)存條，即將登陸服務(wù)器平臺。就在半年前，三星曾展示過單條64GB DDR4內(nèi)存，面向服務(wù)器的RDIMM類型，基于其最新的16Gb(2GB)顆粒，并稱完全可以做到單條256GB，沒先到這么快就實(shí)現(xiàn)了。

這條256GB內(nèi)存也是RDIMM規(guī)格，支持ECC糾錯，搭載了多達(dá)36顆內(nèi)存芯片，每顆容量8GB(64Gb)，內(nèi)部集成的正是前述單Die容量16Gb(2GB)的新型顆粒，四顆通過TSV硅穿孔技術(shù)集成在一顆芯片內(nèi)。

內(nèi)存條上還有一顆IDT 4RCD0229K寄存器芯片，用來緩沖尋址和指令信號，提升單個內(nèi)存通道支持的Rank數(shù)量。

正是得益于這顆芯片的支持，整個內(nèi)存條有多達(dá)八個Rank，包括兩個物理Rank和四個邏輯Rank。

那么，256GB內(nèi)存條能干啥?

AMD EPYC霄龍平臺現(xiàn)在支持最大單條128GB LRDIMM內(nèi)存，單/雙路系統(tǒng)最大內(nèi)存容量2/4TB，如果能通過更新微代碼支持單條256GB，或者在下代7nm平臺上實(shí)現(xiàn)，單/雙路系統(tǒng)內(nèi)存可達(dá)4/8TB。

Intel Xeon至強(qiáng)這邊，將在年底發(fā)布的下一代Cascade Lake有望支持最大3.84TB內(nèi)存(12條插槽)，而如果換成單條256GB，雙路系統(tǒng)就可達(dá)6TB。

另外，部分得益于新的10nm級別工藝，單條256GB相比兩條128GB不但延遲更低，功耗也會更低，對于內(nèi)存密集的數(shù)據(jù)中心來說會頗為可觀。

三星目前暫未披露256GB內(nèi)存條的具體規(guī)格，但頻率應(yīng)該就是2400/2667MHz檔次。