存儲器大廠華邦電29日召開法說會，總經(jīng)理詹東義表示，未來將深耕編碼型儲存快閃存儲器 (Code Storage Flash)，推出高品質(zhì)、高速的 SLC Serial NAND Flash，速度可與 NOR Flash 媲美，“我不覺得別人做得出來”，未來除搶攻車用領(lǐng)域外，包括智慧音箱等需求，均將成為推升華邦電在該領(lǐng)域市占率的機會。

在 Flash 事業(yè)部分，詹東義表示，華邦電將深耕編碼型儲存快閃存儲器 (Code Storage Flash) 領(lǐng)域，推出高品質(zhì)、高速的 SLC Serial NAND Flash，雖然目前華邦電在 SLC NAND 市占率不高，制程也只有 4X 納米，但效能不會較他廠的 2X 或 3X 納米制程遜色，所推出的高品質(zhì)與高速 SLC NAND 產(chǎn)品，可跟上 NOR Flash 的速度，“我不覺得別人做得出來”。

詹東義表示，未來 SLC Serial NAND Flash 將搶攻車用電子市場，且在此領(lǐng)域除車用電子外，包括無線耳塞式耳機、智慧音箱等需求，均可望成為推升華邦電在 Code Storage Flash 市占率的機會。

此外，華邦電也是首家推出 1.2V 超低電壓 NOR Flash 的存儲器廠，且去年已有超低功耗 DRAM 應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)終端產(chǎn)品。針對物聯(lián)網(wǎng)資安布局方面，詹東義表示，已開發(fā)出一系列符合歐盟資安規(guī)范的 Flash 產(chǎn)品，將于第 4 季陸續(xù)推出。

詹東義并強調(diào)，華邦電因應(yīng)市場變化的策略，就是持續(xù)推出更有價值的新產(chǎn)品，而之所以要蓋高雄廠，正是因為有新產(chǎn)品持續(xù)加入，加上客戶增加，并非因為去年 DRAM 市場表現(xiàn)佳。