4月16日消息，據國外ý體報道，世界領先的半導體技術公司三星電子今天宣布，其5納米FinFET工藝技術已經開發(fā)完成，現(xiàn)在已經準備好向客戶提供樣品。

通過在其基于極紫外(EUV)的工藝產品中添加另一個尖端節(jié)點，三星再次證明了其在先進制造市場的領先地λ。

2018年10月，三星宣布7納米制程工藝芯片準備就緒，并開始投入生產，這是三星第一個采用EUV光刻技術的產品。

該公司提供了業(yè)界第一個基于EUV的新產品的商業(yè)樣品，并在今年年初開始大規(guī)模生產7納米工藝。 此外，三星還在與客戶合作開發(fā)6納米芯片。

與7納米相比，三星的5納米FinFET工藝技術提供了高達25%的邏輯面積效率提高。由于工藝改進，功耗降低了20%、性能提高了10%，這使得三星能夠擁有更具創(chuàng)新性的標準單元架構。

5納米的另一個關鍵優(yōu)點是，可以將7納米的所有相關知識產權重用到5納米工藝上。因此，7納米客戶向5納米過渡將得以大幅降低遷移成本，擁有預先經過驗證的設計生態(tài)系統(tǒng)，從而縮短其5納米產品的開發(fā)周期。

由于三星鑄造公司與其“三星高級鑄造生態(tài)系統(tǒng)”(Samsung Advanced Foundry Ecosystem，簡稱SAFE)合作伙伴的密切合作，自2018年第四季度以來，三星的5納米產品就擁有了強大的設計基礎設施，包括工藝設計工具、設計方法(DM)、電子設計自動化(EDA)工具和IP。

此外，三星鑄造公司已經開始為客戶提供5納米多項目晶圓(MPW)服務。