5月8日，據(jù)中央社報(bào)道，由于液態(tài)氮外包廠商施工失誤，導(dǎo)致延遲出貨影響，半導(dǎo)體磊晶廠英特磊4月?tīng)I(yíng)收為4800萬(wàn)元(新臺(tái)幣，下同)，較上個(gè)月減少23.8%，也較去年同期減少0.9%。累計(jì)1至4月?tīng)I(yíng)收2.29億元，年減4.27%。

英特磊表示，4月?tīng)I(yíng)收受到影響主要是因液態(tài)氮承包廠商施工疏失，導(dǎo)致分子束磊晶(MBE)設(shè)備延遲出貨，預(yù)估此次延遲出貨可在1至2個(gè)月內(nèi)補(bǔ)回，后續(xù)賠償損失將交由保險(xiǎn)公司處理。

現(xiàn)行化合物半導(dǎo)體商用磊晶制程技術(shù)，大致可分成MOCVD(有機(jī)金屬氣相沉積法)和MBE(分子束磊晶技術(shù))。若以成長(zhǎng)技術(shù)而論，MOCVD的成長(zhǎng)條件由氣相方法進(jìn)行，透過(guò)氫氣或氮?dú)獾忍囟ㄝd氣引導(dǎo)，使三族和五族氣體均勻混合后，再導(dǎo)入反應(yīng)腔體中，接著透過(guò)適當(dāng)?shù)姆磻?yīng)溫度(400～800度)，讓氣體裂解并成長(zhǎng)于基板上。MBE成長(zhǎng)條件則透過(guò)元素加熱方式，借由超高真空環(huán)境的腔體，將所需磊晶元素加熱升華形成分子束，當(dāng)分子束接觸基板后，就可形成所需磊晶結(jié)構(gòu)。

而英特磊這兩樣制程技術(shù)都可做，并采用MBE技術(shù)從事砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、磷化銦(InP)化鎵等三五族化合物半導(dǎo)體磊晶(Epi)的生產(chǎn)，擁有從基板到磊晶的垂直整合技術(shù)能力。

磊晶可提供無(wú)線通訊、衛(wèi)星通訊、光纖通訊5G等商用，甚至是太空與國(guó)防上的紅外線感測(cè)、夜視、攝影等產(chǎn)品應(yīng)用，受惠5G基礎(chǔ)建設(shè)布建，以及車用化合物芯片的需求將逐步增加，這也為磊晶市場(chǎng)δ來(lái)增加成長(zhǎng)動(dòng)能。