英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布推出第一代65 奈米(nm)嵌入式快閃 (eFlash)安全芯片樣本，主要用于芯片卡與安全防護應(yīng)用。這是英飛凌和臺積電自 2009 年合作開發(fā)及生產(chǎn) 65nm eFlash 安全芯片的成果。

首批進入量產(chǎn)的產(chǎn)品將是 SIM 卡應(yīng)用的安全芯片，預(yù)計將于 2012 下半年進行制程及產(chǎn)品驗證。在競爭激烈的安全 IC 市場上，采用 65nm 技術(shù)生產(chǎn)具有相當大的競爭優(yōu)勢，因為相較于舊有技術(shù)，65 nm 技術(shù)能夠大幅縮小芯片體積，進而提高效率。此外，12?晶圓亦較8?晶圓更具生產(chǎn)力。

英飛凌芯片卡及安全業(yè)務(wù)事業(yè)處營運部副總裁 Pantelis Haidas 表示，這是英飛凌與臺積電合作開發(fā)采用 65nm eFlash 技術(shù)的首項成果。該公司依據(jù)信息技術(shù)安全評估共同準則(Common Criteria for Information Technology Security Evaluation)所規(guī)格的生產(chǎn)環(huán)境中，成功采用了這項先進的12?晶圓技術(shù)，并為往后可提供各式芯片卡和安全防護應(yīng)用的產(chǎn)品建立基礎(chǔ)。

適用于芯片卡及安全防護應(yīng)用的 65nm eFlash 技術(shù)將會是英飛凌的技術(shù)基石，讓公司得以發(fā)揮創(chuàng)新能力，專注開發(fā)生產(chǎn)客制化的安全性產(chǎn)品，以最佳成本效益比，針對智能卡尺寸及其他應(yīng)用裝置提供適當?shù)陌踩燃墶３c臺積電合作開發(fā)12?晶圓外，英飛凌更將合作范圍延伸至 90nm eFlash 節(jié)點。

英飛凌科技并于 2011 年智能卡暨身份識別技術(shù)產(chǎn)業(yè)展 (CARTES & IDentification 2011) 中展示該芯片卡及安全性解決方案。