當前，伴隨著第五代移動通信、物聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)的快速發(fā)展，存儲器的需求量迅速增加，存儲容量、存取速度、功耗、可靠性和使用壽命等指標要求也越來越高。目前，平面型存儲結(jié)構(gòu)在經(jīng)歷了獎金50年的發(fā)展后遭遇巨大挑戰(zhàn)，無法延續(xù)摩爾定律和滿足下一步發(fā)展需求，存儲器的發(fā)展進入轉(zhuǎn)型期。

 近日，總投資300億美元的紫光南京半導體產(chǎn)業(yè)基地正式宣布開工;兆易創(chuàng)新亦于2月13日公告擬收購北京矽成100%股權(quán)，矽成的主要業(yè)務為SDRAM。新年伊始，我國存儲器產(chǎn)業(yè)便連續(xù)爆出兩項重要消息，表明我國存儲產(chǎn)業(yè)的布局正在加速推進當中。而隨著數(shù)項重大投資的啟動，存儲器正在成為我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要突破口。

國際存儲巨頭警惕中國存儲力量成長

盡管存儲器屬于高度壟斷的行業(yè)，但是我國在發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)道路上已經(jīng)邁出了第一步。2月12日，紫光集團在南京正式建立半導體產(chǎn)業(yè)基地，主要產(chǎn)品為3D NAND FLASH、DRAM存儲芯片等，一期投資100億美元，規(guī)劃月產(chǎn)芯片10萬片，項目總投資300億美元。除此之外，紫光集團還與國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司于2016年7月共同出資成立長江存儲科技有限責任公司;項目于2016年12月30日正式開工建設(shè)。項目總投資金額約240億美元，預期將于2018年完成建廠投產(chǎn)、2020年完成整個項目，總產(chǎn)能將達到30萬片一個月。

除紫光/長江存儲之外，2016年福建晉華與聯(lián)電簽訂技術(shù)合作協(xié)定，由聯(lián)電協(xié)助其生產(chǎn)利基型 DRAM。新建的12英寸廠房已經(jīng)動工，初步產(chǎn)能規(guī)劃每月6萬片，估計2017年底完成技術(shù)開發(fā)，2018 年9月試產(chǎn)。合肥長鑫公司于2016年宣布將在合肥打造月產(chǎn)能12.5萬片的12英寸晶圓廠，生產(chǎn)存儲器。此外，股市新貴兆易創(chuàng)新也計劃收購北京矽成，其中發(fā)行股份支付對價為45.5億元，現(xiàn)金支付對價為19.5億元。兆易創(chuàng)新是國內(nèi)NOR Flash行業(yè)的龍頭廠商。

以上舉措顯示，我國存儲器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展正在持續(xù)推進。如果僅從規(guī)劃中的產(chǎn)能來看，已經(jīng)超過國際半導體廠商在中國大陸建設(shè)的產(chǎn)能。整理各家公司公開發(fā)布的數(shù)據(jù)發(fā)現(xiàn)，紫光/長江存儲+晉華+長鑫規(guī)劃月產(chǎn)能達到58.5萬片，而幾家國際存儲器大廠在中國大陸的產(chǎn)能為32萬片/月。

不過，這一情況已經(jīng)引起國際存儲器大廠的警惕。海力士近日表示將投資36億美元在無錫建設(shè)第二座存儲工廠。也有消息稱三星電子將在2017年～2018年大舉追加投資西安3D NAND Flash廠，預估將投資約43.5億美元。三星、海力士同時擴大在華存儲器的投資，爭搶未來市場的目的十分明顯。

存儲器對產(chǎn)業(yè)帶動作用巨大

挑戰(zhàn)雖然存在，中國發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)的決心卻不應動搖。根據(jù)IC Insights發(fā)布的最新數(shù)據(jù)，在不同半導體產(chǎn)品門類中，2016年分立器件市場規(guī)模為194億美元、光電器件321億美元、傳感器108億美元、模擬電路474億美元、微處理器627億美元、存儲器743億美元、邏輯電路883億美元。然而邏輯電路中的細分產(chǎn)品極其眾多。存儲器不僅產(chǎn)品種類相對單一而且規(guī)模十分龐大。這樣的市場對產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有極大的帶動作用。

同時，IC Insights認為今后幾年存儲器市場都將非常健康，預計2017年存儲器價格還將上漲，從而推動全球存儲器市場規(guī)模達到創(chuàng)紀錄的853億美元，2020年達到1000億美元的規(guī)模。2021年可能接近1100億美元。當前中國正在著力發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)，需要一個帶動性強的行業(yè)作為突破口，存儲產(chǎn)業(yè)正是一個恰當?shù)倪x擇。對此，半導體專家莫大康曾向記者講述：“從歷史經(jīng)驗來看，日本與韓國都曾經(jīng)以存儲器(DRAM和NAND Flash)為突破口，一躍成為半導體大國的。”

此外，中國也具有做強存儲產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。建廣資產(chǎn)總經(jīng)理孫衛(wèi)表示：“存儲產(chǎn)業(yè)是一大投入、大產(chǎn)出的門類，這些特點與面板行業(yè)類似。我國應當總結(jié)這些年來在面板產(chǎn)業(yè)中的投資經(jīng)驗。”在十幾年的發(fā)展中，中國顯示面板領(lǐng)域投入了約3000億元，目前已經(jīng)成為全球液晶面板產(chǎn)業(yè)的重要力量之一。

因此，“下決心選擇存儲器作為IDM模式的突破口，是產(chǎn)業(yè)的發(fā)展需要，也是眾望所歸。”莫大康指出。

中國的機會窗口期并不長

當然，無論是DRAM還是NAND Flash，當前都處于高度壟斷狀態(tài)，即便是有可能帶來產(chǎn)業(yè)變革機會的3D NAND產(chǎn)品，目前國際存儲大廠也在不斷壘高技術(shù)壁壘。目前，三星在3D NAND方面處于領(lǐng)先地位，主流技術(shù)已經(jīng)是64層的3D NAND，且其3D NAND產(chǎn)出己占到其NAND總出貨量的40%。東芝公司的追趕也很快。東芝計劃在2017年3D NAND占NAND產(chǎn)出的50%，2018年達80%。幾家存儲大廠正在不斷加碼，留給中國發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的機會窗口期并不長。

因此，莫大康表示，想要做好存儲器，首先就要認識到，這將是一場堅持戰(zhàn)。“存儲產(chǎn)業(yè)的特征就是起伏大，價格進入下降周期，不是處于全球領(lǐng)先地位的企業(yè)，面臨巨虧的幾率非常大。當企業(yè)出現(xiàn)虧損時，而且是連續(xù)數(shù)年之后，還要能夠說服自己以及股東繼續(xù)的投資發(fā)展。

所以中國存儲器業(yè)要取得成功，必須踏踏實實地進行研發(fā)，以及遇到虧損時要堅持，再堅持。”莫大康說。孫衛(wèi)也指出：“存儲芯片也是一個產(chǎn)值巨大、需要長期巨額投入、但短期內(nèi)很可能看不到回報的行業(yè)。將考驗投資方的耐心。在投入之前首先就要做好長期投資的心理準備。同時，一旦確定之后就要做堅定不移。這是一個拼意志拼勇氣的行業(yè)。”

所以，發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)，特別是發(fā)展初期需要國家政策上的支持，為企業(yè)的發(fā)展創(chuàng)造環(huán)境。比如在資本層面，國家需要為優(yōu)質(zhì)的公司打開快速的資本市場通道，使企業(yè)在資金上獲得支持。此外，人才團隊是存儲產(chǎn)業(yè)成功與否的關(guān)鍵，特別是在全球范圍內(nèi)進行人才競爭極其重要，在人才選聘培養(yǎng)方面，國家也應打開綠色通道。