韓國三星電子周一表示，由于行業(yè)處于繁榮階段，正在考慮擴大其中國制造基地的存儲器芯片產能。

三星發(fā)言人稱，正在考慮擴大西安工廠的產能，但具體細節(jié)還未確定，包括可能的投資規(guī)模以及新增產能將用于生產哪些產品。

消息人士說：「三星與當?shù)卣M行協(xié)商最后階段。 很可能在9月動工。 」三星西安廠現(xiàn)有第一產線是在2014年興建，月產12萬片NAND內存晶圓，若加上規(guī)劃中的第二產線，產量將達20萬片。

三星電子是全球最大的存儲器芯片生產商，已經在西安工廠投資70億美元生產3D NAND存儲器芯片。這種芯片用于智能手機、個人電腦和數(shù)據(jù)服務器等電子設備上的高端數(shù)據(jù)存儲產品。

三星原本已于西安廠投資70億美元生產NAND，現(xiàn)在計劃讓位于南韓京畿道平澤市的全新NAND芯片廠自6月啟動營運，月產能可達20萬片。

三星陸廠將生產較低端芯片，多數(shù)供應中國手機市場，而韓廠將專注于生產高端芯片。

由于用戶對消費電子產品處理能力的需求不斷增長，以及隨著技術越來越復雜，投資的生產收益下降，預計三星等存儲器芯片公司將在2017年錄得創(chuàng)紀錄的營收和利潤。市場研究公司IHS預計，今年的存儲器行業(yè)收入將躍升32%至創(chuàng)紀錄的1，040億美元。

業(yè)界高管和分析師表示，3D NAND供應商2017年全年可能難以滿足客戶的訂單。

三星及其同業(yè)相應地增加了3D NAND投資。 雖然三星迄今沒有給出具體目標，但在4月份表示，資本支出今年將大幅上升，部分原因是其計劃提高3D NAND產能。

內存業(yè)表示，三星提高資本支出增產3D NAND Flash，預估投產時間落為2019年，與大陸內存廠產出的時間相近，是否會引發(fā)市場供需陷入供過于求，目前還難斷定。

群聯(lián)電子董事長潘健成表示，3D NAND制程難度高，且需求相當強勁，主要制造大廠均表示未來三年的產能仍無法供應，因此預料三星增產3D NAND芯片，應是看好在3D NAND芯片取得較佳機會。

潘健成認為，至少二年內，NAND芯片會一直缺貨，而且今年第3季將是史上最缺貨的一季。

此外，三星資本支出集中增產3D NAND Flash，目前雖未有增產DRAM計劃，但對DRAM廠而言，仍將處于供需平衡階段。 業(yè)者也預期，目前各家都有節(jié)制的增產，透過技術升級達到增加產出，未見投資新廠，但后續(xù)得密切觀察三星在內存的產能挪移。

南亞科估計，今年DRAM也是處于缺貨的一年，下半年以第3季缺貨程度最高，缺口估有1%~2%，預料進入傳統(tǒng)備貨旺季，DRAM價格會再看漲。