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[導讀]如果IBM Research的碳納米管晶體管研究能有所突破,國際半導體技術藍圖(ITRS)的2028年硅材料“末日預言”時間將得以延續(xù)。根據(jù)IBM表示,研究人員們已經(jīng)找到一種可將通道長度縮短至1.8nm節(jié)點(4個技術世代后)的方式,預計最終還將超越埃(angstrom;納米的十分之一)等級。果真如此,摩爾定律(Moore's Law)就能沿用相同極紫外光(EUV)微影互補金屬氧化物半導體(CMOS)工藝技術,順利地延續(xù)到次納米級(埃)工藝。

如果IBM Research的碳納米管晶體管研究能有所突破,國際半導體技術藍圖(ITRS)的2028年硅材料“末日預言”時間將得以延續(xù)。根據(jù)IBM表示,研究人員們已經(jīng)找到一種可將通道長度縮短至1.8nm節(jié)點(4個技術世代后)的方式,預計最終還將超越埃(angstrom;納米的十分之一)等級。果真如此,摩爾定律(Moore's Law)就能沿用相同極紫外光(EUV)微影互補金屬氧化物半導體(CMOS)工藝技術,順利地延續(xù)到次納米級(埃)工藝。

“1.2nm寬的碳納米管通道已經(jīng)證實可行了,”IBM華生研究中心(T.J. Watson Research Center)納米科學與技術經(jīng)理漢述仁表示,“微縮的主要問題不只出在碳納米管,硅與III-V族材料(銦、鎵、砷)的觸點也存在無法微縮的挑戰(zhàn)。”

“我們已在最近取得了突破,”漢述仁指出,“如今了解了如何進行微縮,使其不再成為碳納米管晶體管的限制因素。我們制作出新的觸點,可測量至埃級,而且兩端只有36kΩ。”

在經(jīng)過長久的等待后,根據(jù)Envisioneering研究總監(jiān)Richard Doherty表示,這項突破性的技術可望在不久后實現(xiàn)。

“畢竟,如果你還記得從貝爾實驗室(Bell Labs)開發(fā)出觸點晶體管到Fairchild和英特爾(Intel)連手打造出平面晶體管得花10年之久,就不會對于IBM得用另一個十年取得如此突破而感到意外了,”Doherty強調(diào)。

 

▲圖中顯示具有一端鍵合觸點的碳納米管晶體管,其觸點長度低于10nm

IBM 經(jīng)驗證可用的芯片擁有9nm信道,但在取得這項突破以前,觸點相形之下十分巨大。如今,IBM找到了一種能制作出較小觸點的方法,能讓它們微縮通道長度至 1.8nm節(jié)點(約4個技術世代),最終還將超越埃等級。每一個節(jié)點只攜帶大約15mA,但IBM計劃僅為設計中的特定位置同時使用許多碳納米通道,從而解決這些問題。

“利用自對準技術,我們能以8-10nm間距平行放置碳納米管,”漢述仁透露,“我們用物理氣相沈積(PVD)工藝為其進行沉積,然后再用高溫退火——類似于顯微焊接的冶金過程——以確保兩端的通道觸點穩(wěn)定。”

 

▲穿透式電子顯微鏡(TEM)影像橫截面顯示具有一端鍵合觸點的碳納米管晶體管,其觸點長度低于10nm

Doherty 對于IBM的“焊接”技術印象深刻,認為這將為IBM帶來競爭優(yōu)勢。其方式是在碳納米管自對準于晶體管通道以前,以鉬涂布碳納米管兩端。然后加熱整個組裝至華氐1,562度(850℃而完成“焊接”過程,從而熔融鉬并轉(zhuǎn)化成為碳化物——一種可制作出優(yōu)質(zhì)埃級觸點的導體。

開關電流切換率達10,000

“這項焊接/碳化物的新發(fā)現(xiàn)似乎是唯一有利于金屬的硅工藝,而且不會產(chǎn)生氧化的問題,或是蕭特基阻障層特性帶來不必要的步進電壓閾值。而IBM的方法可實現(xiàn) 10,000的開關電流切換率,”Doherty指出,“其他嘗試連接至納米管的方式可能隨時間進展而產(chǎn)生各種不同的電阻與導電特性,使其只能停留在實驗室階段。IBM的這項成果為實現(xiàn)真正的碳納米管結(jié)構(gòu)鋪路,使其能夠利用經(jīng)驗證可行的硅微影技術。”

 

▲圖中顯示在相同納米管上一組具有不同觸點幾何的組件,證實了這種觸點尺寸可加以微縮,而不至于降低組件性能

IBM目前只能用其革命性“焊接”技術生產(chǎn)p型晶體管,但聲稱這些組件可運作得比FinFET更好。據(jù)漢述仁透露,該公司的下一步是在隧道終端使用光源,打造出n型組件,讓CMOS碳納米管晶體管可在3nm節(jié)點時進行制造,屆時硅FinFET將達到5nm節(jié)點。

“IBM的內(nèi)部目標是在5nm節(jié)點時準備就緒,并成為3nm節(jié)點一直到埃級以后的最佳選擇,”漢述仁表示。

據(jù)Doherty表示,IBM的成果為延續(xù)摩爾定律帶來了新希望,因為對于“焊接”技術來說,目前還沒有什么不可突破的微縮問題。Doherty并將IBM的這項“焊接”技術稱為“同軸連接”(coaxial connection)技術。

“隨著摩爾定律的持續(xù)推向極限,硅晶變得越來越低效,而9nm通道的碳納米管技術為業(yè)界帶來了勇氣和信心,讓他們知道還有可替代的半導體路徑存在,”Doherty強調(diào),“同時,我也很少看到IBM的科學論文中有這么多研究人員共同帶來了貢獻。他們的目標是在十年內(nèi)付諸生產(chǎn),但我相信他們一定想盡可能更快達成。”

IBM的這項成果是其后硅晶技術計劃的一部份,這項30億美元的研發(fā)計劃從2014年開始,目標在于為IBM所謂即將來臨的“認知運算時代”所需要的運算需求而鋪路。

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