全球半導(dǎo)體業(yè)自2010年增長32.5%之后，一直小幅徘徊。業(yè)界較為一致的觀點是，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已趨成熟，很難再有兩位數(shù)以上的增長。然而據(jù)WSTS公布的數(shù)據(jù)，2014年全球半導(dǎo)體業(yè)增長達9.9%，達到3358億美元，連續(xù)兩年刷新歷史最高紀(jì)錄，讓業(yè)界始料未及。2014年增幅最大的是美洲，增長12.7%;其次是亞太地區(qū)，增長11.4%;第三是歐洲，增長7.4%。

存儲器是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。從SIA公布的2014年銷售額可觀的產(chǎn)品看，存儲器產(chǎn)品的銷售額2014年總計增長18.2%，達到792億美元。其中增長率最高的產(chǎn)品是DRAM，較上年增長34.7%。另外，功率晶體管增長16.1%，達到119億美元;分立器件增長10.8%，達到202億美元;模擬器件增長10.6%，達到444億美元。

定律還能走多遠?

主流觀點是產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)轉(zhuǎn)折點時，每個晶體管的成本不下降，反而上升。

英特爾對于產(chǎn)業(yè)的貢獻主要有3個方面：一是90納米制程時的SiGe形變硅技術(shù)，二是45納米制程的高k金屬柵(HKMG)技術(shù)，三是22納米制程時的3D finFET技術(shù)。

眾所周知，推動尺寸縮小的根本原因是進到下一代工藝制程節(jié)點時，它們的晶體管制造成本能持續(xù)減少近50%(在功耗幾乎不變的條件下)。但是當(dāng)尺寸縮小到28納米時出現(xiàn)了不同聲音，業(yè)界的主流觀點認為產(chǎn)業(yè)開始呈現(xiàn)轉(zhuǎn)折點，由此每個晶體管的成本沒有下降，反而上升。由于工藝制程及芯片制造商的不同，對于28納米時晶體管成本上升的看法并非一致，如英特爾就認為晶體管成本仍能持續(xù)地下降。

但是定律還能走多遠的問題已經(jīng)提上議程。到目前為止，由于EUV光刻設(shè)備的一再推遲，業(yè)界盡可能地把193納米浸液式光刻技術(shù)發(fā)揮至極限。至20納米制程時，傳統(tǒng)的光學(xué)光刻已達極限，必須采用兩次圖形曝光技術(shù)的輔助，導(dǎo)致光刻制造成本急速上升。原本以為至14納米制程節(jié)點時，光學(xué)方法的尺寸縮小將達盡頭，但是業(yè)界沒有喪失信心而越過了它。如今來看，產(chǎn)業(yè)界越過10納米已無大的障礙，至多增至3次，甚至4次圖形曝光技術(shù)。

英特爾的YanBorodovsky提出報告認為，采用圖形間距的分隔技術(shù)(多次圖形曝光技術(shù))可能延伸摩爾定律至5納米，并認為英特爾在圖形尺寸縮小方面已能彌補光刻成本的增加。另外，在2015年SPIE先進光刻技術(shù)年會上，ASML稱臺積電已在它的NXE 3300B EUV光刻設(shè)備上單天曝光超過1000個硅片。這預(yù)示著EUV光刻機有可能很快步入量產(chǎn)應(yīng)用，即光源功率超過90瓦在24小時內(nèi)曝光超過1022硅片。雖然EUV光刻技術(shù)在不斷進步，但是仍有光源、光刻膠及掩膜等問題。

三大巨頭工藝制程競賽升級

英特爾、三星及臺積電在工藝制程競賽中呈現(xiàn)勢均力敵狀態(tài)。

縱觀全球三大巨頭，英特爾、三星及臺積電在尺寸縮小競賽中不干示弱。應(yīng)該承認英特爾自22納米finFET開始暫時領(lǐng)先，目前它已是14納米的第二代finFET技術(shù)。

臺積電則是走了一步獨特的險棋，它由20納米制程先過渡到16納米制程，然后一步躍至10納米。目前關(guān)鍵在于它的16納米finFET制程成本能否具有優(yōu)勢。根據(jù)業(yè)界消息，臺積電的中科晶圓廠在2018年年底月產(chǎn)能將達到9萬片，采用10納米節(jié)點或更先進工藝技術(shù)。

三星讓業(yè)界刮目相看，出人意料地提前過了14納米finFET關(guān)。在今年ISSCC會上，三星已搶在英特爾之前，展示了全球首次的10納米finFET制程。三星今年還推出了14納米的Exynos7420處理器。蘋果計劃在它的Mac筆電上用自己設(shè)計的A10x處理器，A10x將采用10納米finFET制程，預(yù)期能在2016年量產(chǎn)，可能由三星100%接收訂單。

未來的10納米工藝也會運用到DRAM和3D V-NAND芯片上，三星不會放棄任何在移動領(lǐng)域做存儲霸主的機會。三星表示，在2016或2017年之前暫時可能不會量產(chǎn)10nm工藝。也就是說，首款采用14nm芯片Exynos的智能手機Galaxy S6，在先進工藝方面的優(yōu)勢可能會維持兩年。為此，三星投資136億美元的Line 17將于今年6月開工。

另外三星在今年ISSCC會上還曝出驚人消息，它確認開始3.2nm FinFET工藝的研發(fā)，通過所謂的EUV遠紫外光刻技術(shù)、四次圖形曝光技術(shù)和獨家途徑，實現(xiàn)工藝更細微化。三星高調(diào)指出，它將繼續(xù)推進至5nm工藝制程，因為他們認為“根本沒有困難”，而且進一步微細化也有可能很快實現(xiàn)。

不管如何，英特爾、三星及臺積電在工藝制程競賽中是一浪高過一浪，目前的態(tài)勢是勢均力敵，都聲稱在2017年時能進入10納米制程的量產(chǎn)。而對于7納米制程，目前具體的工藝技術(shù)路線每家企業(yè)尚不好回答。

未來增長持續(xù)強勁

未來全球半導(dǎo)體市場的主要推手將轉(zhuǎn)向物聯(lián)網(wǎng)、移動裝置及無線連接。

盡管摩爾定律逼近極限，近年來產(chǎn)業(yè)增長的主要推手，如智能手機及平板電腦的市場需求也顯乏力，但全球半導(dǎo)體業(yè)增長態(tài)勢仍是持續(xù)強勁，未來市場的主要推手將轉(zhuǎn)向物聯(lián)網(wǎng)、移動裝置及無線連接。

從投資角度來看，據(jù)VLSI的最新預(yù)測，全球半導(dǎo)體固定資產(chǎn)投資2015年預(yù)計達737億美元，同比增長3.7%。而且投資的集中度再次提高，排在前7位的占比達71%，相比2010年僅56%。研調(diào)機構(gòu)IC Insights預(yù)估，在2009年~2019年間，受益于物聯(lián)網(wǎng)、移動裝置及無線裝置分享數(shù)據(jù)，全球IC的年均復(fù)合增長率可達4.1%，并預(yù)測2015年全球半導(dǎo)體市場將增長3.4%。

“數(shù)字革命才剛剛開始，未來5年要比過去的這40年還要多7~8倍。”未來5年到底會有什么巨大的革命發(fā)生?一是云和大數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)的儲存，跟它所帶來的數(shù)據(jù)挖掘和理解，將帶來一個巨大的革命。二是物聯(lián)網(wǎng)，萬物互聯(lián)。未來5年，PC、手機、平板、可穿戴設(shè)備以及聯(lián)網(wǎng)的電視、汽車等，整個加起來將有400億臺設(shè)備。

半導(dǎo)體教父張忠謀認為，半導(dǎo)體業(yè)如能掌握以下3個關(guān)鍵技術(shù)，將可以抓住物聯(lián)網(wǎng)市場。首先是先進系統(tǒng)級封裝技術(shù)。由于物聯(lián)網(wǎng)比手機更強調(diào)輕薄短小，因此需要將不同制程和功能的晶片，利用堆疊的方式全部封裝在一起，縮小體積。因此能提供完整系統(tǒng)封裝和系統(tǒng)模組整合能力的封測廠商，可望大大受惠。其次，穿戴式裝置等物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品需要更低的耗電量，功耗必須是智能手機的1/10，且最好一周只要充一次電，所以超低功耗技術(shù)要努力開發(fā)。再次，搭配健康管理、居家照護、安全監(jiān)控、汽車聯(lián)網(wǎng)等情境，各式各樣感測器應(yīng)用普遍，用來測量人體溫度、血壓、脈搏，感測環(huán)境溫濕度或車輛間安全距離等，促進感測器相關(guān)的技術(shù)以及制程開發(fā)。

另外，在物聯(lián)網(wǎng)的產(chǎn)業(yè)鏈中，最賺錢的不一定是半導(dǎo)體公司，而可能是能管理整個生態(tài)系的公司，包括Google、Amazon、Apple、騰訊、阿里巴巴、華為、思科等，或者是創(chuàng)新商業(yè)模式的產(chǎn)業(yè)紅人。