弱上拉：沒有絕對準(zhǔn)確的定義，相對于強上拉而言，一般指單片機內(nèi)建于IO內(nèi)的上拉，常用MOS管實現(xiàn)，能源出的上拉電流能力有限，一般等效上拉電阻值在10-100k量級。

推挽輸出：即常說的“圖騰柱”輸出，數(shù)字電路的輸出部分由2只晶體管或MOS管實現(xiàn)，一個接VCC一個接GND，以強化輸出負(fù)載能力。

施密特輸入：一種數(shù)字整形技術(shù)，能根據(jù)“上一次”電路的狀態(tài)動態(tài)改變IO辨認(rèn)高/低電平的閥值，通常稱為施密特回差，用于對數(shù)字信號進行整形，提高抗噪聲能力及應(yīng)對緩慢上升的信號，以不使其出現(xiàn)模糊電平問題。

強上拉：相對于弱上拉而言，能夠源出較強電流能力的上拉，比如通過在IO口外接上拉電阻實現(xiàn)，比如470歐姆的上拉電阻。

開漏：與圖騰柱相對，數(shù)字電路的輸出端只有圖騰柱的下一半而缺少上一半，同樣是一種常見的數(shù)字電路輸出級樣式，主要用于實現(xiàn)線與和實現(xiàn)端口電平轉(zhuǎn)換。

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