功率場效應(yīng)管(MOSFET)典型應(yīng)用電路

1.電池反接保護(hù)電路

電池反接保護(hù)電路如圖9所示。一般防止電池接反損壞電路采用串接二極管的方法，在電池接反時(shí)，PN結(jié)反接無電壓降，但在正常工 作時(shí)有0.6～0.7V的管壓降。采用導(dǎo)通電阻低的增強(qiáng)型N溝道場效應(yīng)管(MOSFET)具有極小的管壓降(RDS(ON)×ID)，如Si9410DY的RDS(ON)約為0.04Ω，則在lA時(shí)約為0.04V。這時(shí)要注意在電池正確安裝時(shí)，ID并非完全通過管內(nèi)的二極管，而是在VGS≥5V時(shí)，N導(dǎo)電溝道暢通(它相當(dāng)于一個(gè)極小的電阻)而大部分電流是從S流向D的(ID為負(fù))。而當(dāng)電池裝反時(shí)，場效應(yīng)管(MOSFET)不通，電路得以保護(hù)。

NMOS管接在電源的負(fù)極，柵極高電平導(dǎo)通。

PMOS管接在電源的正極，柵極低電平導(dǎo)通。

2.觸摸調(diào)光電路

一種簡單的觸摸調(diào)光電路如圖10。當(dāng)手指觸摸上觸頭時(shí)，電容經(jīng)手指電阻及100k充電，VGS漸增大，燈漸亮;當(dāng)觸摸下觸頭時(shí)，電容經(jīng)

100k及手指電阻放電，燈漸暗到滅。

3.甲類功率放大電路

由R1、R2建立VGS靜態(tài)工作點(diǎn)(此時(shí)有一定的ID流過)。當(dāng)音頻信號經(jīng)過C1耦合到柵極，使產(chǎn)生-△VGS，則產(chǎn)生較大的△ID，經(jīng)輸出變壓器阻抗匹配，使4～8Ω喇叭輸出較大的聲功率。圖ll中Dw為9V穩(wěn)壓二極管，是保護(hù)G、S極以免輸入過高電壓而擊穿。從圖中也可以看出，偏置電阻的數(shù)值較大，因?yàn)闁艠O輸入阻抗極高，并且無柵流。

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