AT24C02是由ATMEL公司提供的，IIC總線串行EEPROM(electronic eraser programmer read only memory)，其容量為2kbit(256B)，工作電壓在2.7v"5.5v之間，生產(chǎn)工藝是CMOS。

一般數(shù)字芯片都在左下角和右上角為GND,VCC。容量的計(jì)算方法:AT24Cxx :01"1024

容量 = xx * 1kbit。

寫入過程：

AT24C系列EEPROM芯片的固定部分為1010，A2，A1，A0引腳接高低電平后得到確定的3位編碼，形成7位編碼即為該器件的地址碼。

單片機(jī)進(jìn)行寫操作時(shí)，首先發(fā)送該器件的7位地址碼和寫方向位”0”(共8位，即一個(gè)字節(jié)),發(fā)送完后釋放SDA線并在SCL線上產(chǎn)生第9個(gè)時(shí)鐘信號。被選中的存儲器器件在確認(rèn)是自己的地址后，在SDA線上產(chǎn)生一個(gè)應(yīng)答信號作為響應(yīng)，單片機(jī)收到應(yīng)答后就可以傳送數(shù)據(jù)了。傳送數(shù)據(jù)時(shí)，單片機(jī)首先發(fā)送一個(gè)字節(jié)的被寫入存儲器的首地址，收到存儲器器件的應(yīng)答后，單片機(jī)就逐個(gè)發(fā)送數(shù)據(jù)字節(jié)，但每發(fā)送一個(gè)字節(jié)后都要等待應(yīng)答。AT24C系列片內(nèi)地址在接收到每一個(gè)數(shù)據(jù)字節(jié)地址后自動加1，在芯片的“一次裝載字節(jié)數(shù)”限度內(nèi)，只需輸入首地址。裝載字節(jié)數(shù)超過芯片的“一次裝載字節(jié)數(shù)”時(shí)，數(shù)據(jù)地址將“上卷”，前面的數(shù)據(jù)將被覆蓋。

字節(jié)寫:

頁寫：

讀入過程:

單片機(jī)先發(fā)送該器件的7位地址碼和寫方向位“0”(“偽寫”)，發(fā)送完后釋放SDA線并在SCL線上產(chǎn)生第9個(gè)時(shí)鐘信號。被選中的存儲器器件在確認(rèn)是自己的地址后，在SDA線上產(chǎn)生一個(gè)應(yīng)答信號作為回應(yīng)。

然后，再發(fā)一個(gè)字節(jié)的要讀出器件的存儲區(qū)的首地址，收到應(yīng)答后，單片機(jī)要重復(fù)一次起始信號并發(fā)出器件地址和讀方向位(“1”)，收到器件應(yīng)答后就可以讀出數(shù)據(jù)字節(jié)，每讀出一個(gè)字節(jié)，單片機(jī)都要回復(fù)應(yīng)答信號。當(dāng)最后一個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)讀完后，單片機(jī)應(yīng)返回以“非應(yīng)答”(高電平)，并發(fā)出終止信號以結(jié)束讀出操作。

當(dāng)前地址讀:

隨機(jī)讀:

有序讀:

IIC總線模擬時(shí)序圖:

IIC總線應(yīng)答時(shí)序圖:

設(shè)備地址:

寫周期：

兩次寫之間要有一個(gè)10ms的twR間隔

擴(kuò)展閱讀：什么是單片機(jī)的時(shí)序