很多同學便把這個結論應用于所有場景，這是不對的，今日特撰新文，補充、拓寬下電阻噪聲的問題，以及使用采樣電阻的注意事項（ir drop+0 Ωpdn），環(huán)環(huán)相扣，歡迎點贊、收藏、轉發(fā)。正所謂陰在陽之內，不在陽之對。凡事有壞...

電線在攜帶電力四處移動方面有很多優(yōu)點，但它也有缺點。畢竟，對于反復插拔手機和其他可充電小型設備，誰沒有過心生厭倦呢？這確實很麻煩。

眾所周知，當 V GS 在增強模式下為正時，N 型耗盡型 MOSFET 的行為類似于 N 型增強型 MOSFET;兩者之間的唯一區(qū)別是 V GS = 0V時的漏電流 I DSS量。增強型 MOSFET 在柵極未通電時不應...

為增進大家對電池的認識，本文將對電池的幾個性能參數(shù)予以介紹。

在日常的電氣柜裝配過程中，常常會面臨費時費力的巨大煩惱。根據(jù)德國“裝配機柜4.0”研究結果，傳統(tǒng)裝配機柜過程最耗時的是規(guī)劃和安裝階段。而其中，項目規(guī)劃和電路圖構建占據(jù)了50%以上的規(guī)劃時間;機械裝配和線束加工，更是占據(jù)了...

摘 要 : 目前 , 10 kV母線三相電壓不平衡時有發(fā)生 ,表現(xiàn)為一相或兩相對地電壓升高 ,其余相降低。不平衡的電壓影響調度員對于 線路是否接地的判斷 ,亦有可能造成線路、主變保護電壓閉鎖功能的失效 ,嚴重時甚至會...

（全球TMT2022年6月28日訊）浪潮存儲基于大量的NAND測試數(shù)據(jù)，在反復探索和實踐推理過程中發(fā)現(xiàn)了企業(yè)級固體硬盤普遍面臨三個挑戰(zhàn)： 首先，NAND特性會影響數(shù)據(jù)的可靠性。例如NAND中未寫滿數(shù)據(jù)的塊因數(shù)據(jù)保...

為增進大家對MEMS的認識，本文將對MEMS和CMOS的區(qū)別予以介紹。

為增進大家對電力系統(tǒng)的認識，本文將對電力系統(tǒng)中性點接地方式，以及電力系統(tǒng)調壓手段予以介紹。

關于研究大腦的故事也是一個關于為此設計技術的故事。過去幾十年最成功的神經(jīng)科學設備之一是神經(jīng)探針或微小的針狀大腦植入物，它們可以從單個神經(jīng)元接收信號。記錄大腦活動提供了一個獨特的視角，以了解神經(jīng)元如何在復雜的電路中進行交流...