[導讀]8月12日消息，據(jù)國外媒體報道，英特爾和美光科技今天宣布，雙方已將當今最小的NAND芯片應用于消費存儲設備。
新NAND閃存芯片采用34納米生產工藝，每單元可儲存3比特。新產品由兩家公司合資企業(yè)IM Flash Technology公
8月12日消息，據(jù)國外媒體報道，英特爾和美光科技今天宣布，雙方已將當今最小的NAND芯片應用于消費存儲設備。
新NAND閃存芯片采用34納米生產工藝，每單元可儲存3比特。新產品由兩家公司合資企業(yè)IM Flash Technology公司設計和生產，目標產品是閃存卡、USB驅動器和其它設備。
目前幾乎所有的閃存芯片都只能在每個單元中存儲1位或2位數(shù)據(jù)，而存儲3位數(shù)據(jù)的技術則可起到提高容量和降低成本的作用。
NAND芯片通常用于閃存卡和U盤等存儲設備，存儲器的訪問方式類似于硬盤。英特爾上個月稱，該公司正在向更加先進的34納米制造工藝轉型，來生產其基于NAND閃存技術的固態(tài)硬盤產品，這種產品將可幫助PC和筆記本廠商降低成本。
英特爾副總裁兼NAND解決方案事業(yè)部總經理蘭迪·威爾海姆(Randy Wilhelm)表示，走向3比特技術，是英特爾和美光在34納米NAND開發(fā)過程中突破性進展的又一個證明。
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