英特爾的Bohr認(rèn)為，全球第一個(gè)32納米的Westmere處理器將在其俄勒岡州的Hillsboro的DID工廠內(nèi)進(jìn)行量產(chǎn)。

在英特爾的發(fā)展論壇IDF開會(huì)之前(2009，9月底)出貨32納米處理器樣品給客戶進(jìn)行測(cè)試，預(yù)示32納米處理器已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)前的驗(yàn)證階段，并表示Q4全球第一家工廠將產(chǎn)生其銷售額。

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Westmere，Intel'sfirst32nmprocessor，wasdemonstratedinJanuary2009。

Bohr表示，在DID工廠進(jìn)行量產(chǎn)之后在Hillsboro的DIC廠在Q4也進(jìn)行量產(chǎn)，緊接著在亞利桑那州的Chandler的Fab32及新墨西哥州的RioRancho廠進(jìn)行大量生產(chǎn)，并承諾將化費(fèi)總計(jì)為70億美元來支持改造升級(jí)現(xiàn)有的工廠進(jìn)行32納米處理器的量產(chǎn)。

有關(guān)32納米處理器的細(xì)節(jié)，包括準(zhǔn)確的驅(qū)動(dòng)電流測(cè)量，在PMOS的引變結(jié)構(gòu)中鍺的加入及其它關(guān)鍵等將在12月7-9日于巴爾的摩的英特爾IEDM會(huì)上提出討論。

Bohr同樣談到在CPU與SoC處理器間的差距正在縮小，在45納米節(jié)點(diǎn)時(shí)，SoC工藝相比于CPU落后1年，而到32納米時(shí)僅只有6個(gè)月。英特爾希望未來把這個(gè)差距縮短至3個(gè)月。

英特爾此次釆用縮小間距0，7倍到112。5納米，即一個(gè)接觸點(diǎn)的中心到下一個(gè)中心的間距來測(cè)量。而替代過去依面積或者其上晶體管的尺寸來比較。今后的每個(gè)節(jié)點(diǎn)都必須引進(jìn)新技術(shù)及新的材料。如在90及65納米時(shí)功能的提高主要依賴引変硅技術(shù)的導(dǎo)入，而到45及32納米時(shí)依賴于高k及金屬柵。

在源漏結(jié)構(gòu)中首次引入柵電流增大的方法，如在PMOS中的SiGe，然后把多晶硅柵付蝕掉，并用金屬柵來替代。此種多晶硅柵被付蝕掉的作用可以看作如同在PMOS晶體管中的溝道更加被壓縮一樣，使得PMOS的驅(qū)動(dòng)電流與NMOS功能相接近。

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PMOSdrivecurrentsaregettingclosertotraditionallyfasterNMOSdevices。(Source：Intel)

Bohr認(rèn)為顯然過于太強(qiáng)的引変層實(shí)際上會(huì)導(dǎo)致溝道晶格中的缺陷密度增加，所以不能把引變硅的勢(shì)能完全耗盡。其主要的結(jié)果是縮小PMOS及NMOS的功能差異，另一個(gè)目的將在英特爾的IEDM會(huì)上討論。

在32納米處理器制造中，英特爾首次使用193nm浸入式光刻機(jī)。Bohr認(rèn)為浸入式光刻技術(shù)在下一代22納米處理器時(shí)同樣會(huì)使用。至于談到是否EUV光刻將用在15納米使用時(shí)，Bohr回答EUV技術(shù)可能尚未準(zhǔn)備好，至少在15納米開初的試生產(chǎn)中。它補(bǔ)充道英特爾正努力延伸193nm浸入式光刻技術(shù)至15納米工藝中。