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[導(dǎo)讀]美國加州大學(xué)柏克萊分校(UC Berkeley)的科學(xué)家們表示已經(jīng)找到一種可推動(dòng)芯片電感器(on-chip inductor)技術(shù)進(jìn)展的新方法,將有助于催生新一代微型射頻(RF)電子與無線通訊系統(tǒng)設(shè)計(jì)。加州大學(xué)的研究人員們深入探索在奈米

美國加州大學(xué)柏克萊分校(UC Berkeley)的科學(xué)家們表示已經(jīng)找到一種可推動(dòng)芯片電感器(on-chip inductor)技術(shù)進(jìn)展的新方法,將有助于催生新一代微型射頻(RF)電子與無線通訊系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

加州大學(xué)的研究人員們深入探索在奈米磁鐵(nanomagnet)中奈米材料合成的最新發(fā)展。根據(jù)加州大學(xué)柏克萊分校機(jī)械工程系教授Liwei Lin表示,研究人員們發(fā)現(xiàn),采用外覆絕緣層的磁性奈米粒子可使高頻的芯片電感器尺寸縮小,同時(shí)提升性能,同時(shí),藉由其高截止頻率提供良好的導(dǎo)磁率,從而降低在高頻作業(yè)時(shí)的渦流損耗。

工程師們經(jīng)常面對(duì)的問題是,在試圖縮減芯片電感器尺寸的同時(shí),還得保持其最佳電感與性能。Liwei Lin表示這些困難主要來自于“基本科學(xué)以及工程實(shí)踐約束”所造成的限制。

芯片電感器技術(shù)并未發(fā)生像電晶體技術(shù)一樣的進(jìn)展電晶體技術(shù)在過去40年來一直遵循摩爾定律。電感器在電路上算是一款被動(dòng)元件被歸類于“超越摩爾定律”的領(lǐng)域,因此整合的是不會(huì)因摩爾定律而微縮的RF與MEMS等非數(shù)位化功能。

芯片電感器架構(gòu)需要較大的面積,因?yàn)樵谄浣饘僮呔€之間需要一定的長度、匝數(shù)、厚度與空間,以實(shí)現(xiàn)適當(dāng)?shù)碾姼信c性能。然而,對(duì)于要求較大的面積則可能會(huì)因?yàn)樵谛D(zhuǎn)線圈和半導(dǎo)體基板之間產(chǎn)生寄生效應(yīng)而造成電感損失。

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