身為國(guó)家存儲(chǔ)器項(xiàng)目首發(fā)基地的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，4月11日武漢廠正式舉行裝機(jī)典禮，由紫光集團(tuán)暨長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)親自主持，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司(大基金)總裁董事長(zhǎng)丁文武也到場(chǎng)支持，紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁暨長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事長(zhǎng)高啟全表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)獲得第一筆10,776顆芯片的訂單，算是11日裝機(jī)儀式中的最大彩蛋!

長(zhǎng)江存儲(chǔ)武漢新廠房的啟動(dòng)，代表國(guó)內(nèi)實(shí)現(xiàn)3D NAND量產(chǎn)的全新起點(diǎn)，對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)極具里程碑意義!紫光在武漢、南京、成都三地皆具備12寸廠，率先啟動(dòng)的是武漢基地，趙偉國(guó)指出，武漢將募資800億人民幣，日前金額已經(jīng)全數(shù)到位，今年可進(jìn)入小規(guī)模量產(chǎn)，明年進(jìn)入128Gb的3D NAND在64層技術(shù)的研發(fā)。

業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，現(xiàn)在NAND Flash大廠三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、東芝(Toshiba)、SK海力士(SK Hynix)主流的3D NAND技術(shù)是64層和72層，雖然今、明兩年將跨入96層技術(shù)，但這個(gè)技術(shù)門(mén)檻十分高，要進(jìn)入大量生產(chǎn)需要一些時(shí)間，如果紫光可以在64層3D NAND技術(shù)如期研發(fā)成功，那國(guó)內(nèi)自主存儲(chǔ)技術(shù)的腳步將更為堅(jiān)定。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的裝機(jī)典禮后，針對(duì)全球來(lái)參加的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商舉行了“自主創(chuàng)芯 攜手共贏”的2018供應(yīng)商大會(huì)，高啟全在會(huì)中宣布，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的32層3D NAND芯片已經(jīng)接獲首筆訂單，數(shù)量超過(guò)10,000顆，達(dá)10,776顆芯片，將應(yīng)用在8GB uSD卡上，這代表國(guó)內(nèi)3D NAND芯片研發(fā)已經(jīng)跨出成功的第一步，不但研發(fā)成功，并且進(jìn)入商用化!

事實(shí)上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的武漢基地第一期生產(chǎn)線進(jìn)度十分快速，2017年9月已提前封頂，2017年11月長(zhǎng)江存儲(chǔ)第一顆32層3D NAND芯片宣布研發(fā)成功，而2018年2月進(jìn)行廠內(nèi)潔凈室、消防等系統(tǒng)安裝，4月11日這天正式舉行半導(dǎo)體設(shè)備裝機(jī)典禮，實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)3D NAND芯片量產(chǎn)僅一步之遙!

趙偉國(guó)再?gòu)?qiáng)調(diào)，除了武漢的長(zhǎng)江存儲(chǔ)基地所需800億人民幣到位，另兩大基地成都、南京也會(huì)各自會(huì)再投入500億元，加上紫光正和重慶市政府、大基金等成立注冊(cè)資本1,000億元的新公司，五年備妥3,700億元的資金要把芯片產(chǎn)業(yè)建起來(lái)，這是個(gè)大戰(zhàn)略布局。

11日的裝機(jī)典禮中，全球半導(dǎo)體設(shè)備大廠高層齊聚一堂，未來(lái)武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)的長(zhǎng)期規(guī)劃是單月高達(dá)30萬(wàn)片的12寸晶圓產(chǎn)能，加上南京、成都兩大基地，紫光集團(tuán)的“芯”布局絕對(duì)是推升全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)往前沖的一大助力，集團(tuán)內(nèi)部也期待在3D NAND技術(shù)領(lǐng)域在未來(lái)2~3年要彎道超車(chē)，積極累積手上的專(zhuān)利，關(guān)鍵是要在2020年上好好打上一仗!