身為國家存儲器項目首發(fā)基地的長江存儲，4月11日武漢廠正式舉行裝機典禮，由紫光集團(tuán)暨長江存儲董事長趙偉國親自主持，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司(大基金)總裁董事長丁文武也到場支持，紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁暨長江存儲執(zhí)行董事長高啟全表示，長江存儲已經(jīng)獲得第一筆10,776顆芯片的訂單，算是11日裝機儀式中的最大彩蛋!

長江存儲武漢新廠房的啟動，代表國內(nèi)實現(xiàn)3D NAND量產(chǎn)的全新起點，對中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)極具里程碑意義!紫光在武漢、南京、成都三地皆具備12寸廠，率先啟動的是武漢基地，趙偉國指出，武漢將募資800億人民幣，日前金額已經(jīng)全數(shù)到位，今年可進(jìn)入小規(guī)模量產(chǎn)，明年進(jìn)入128Gb的3D NAND在64層技術(shù)的研發(fā)。

業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，現(xiàn)在NAND Flash大廠三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、東芝(Toshiba)、SK海力士(SK Hynix)主流的3D NAND技術(shù)是64層和72層，雖然今、明兩年將跨入96層技術(shù)，但這個技術(shù)門檻十分高，要進(jìn)入大量生產(chǎn)需要一些時間，如果紫光可以在64層3D NAND技術(shù)如期研發(fā)成功，那國內(nèi)自主存儲技術(shù)的腳步將更為堅定。

長江存儲的裝機典禮后，針對全球來參加的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商舉行了“自主創(chuàng)芯 攜手共贏”的2018供應(yīng)商大會，高啟全在會中宣布，長江存儲的32層3D NAND芯片已經(jīng)接獲首筆訂單，數(shù)量超過10,000顆，達(dá)10,776顆芯片，將應(yīng)用在8GB uSD卡上，這代表國內(nèi)3D NAND芯片研發(fā)已經(jīng)跨出成功的第一步，不但研發(fā)成功，并且進(jìn)入商用化!

事實上，長江存儲的武漢基地第一期生產(chǎn)線進(jìn)度十分快速，2017年9月已提前封頂，2017年11月長江存儲第一顆32層3D NAND芯片宣布研發(fā)成功，而2018年2月進(jìn)行廠內(nèi)潔凈室、消防等系統(tǒng)安裝，4月11日這天正式舉行半導(dǎo)體設(shè)備裝機典禮，實現(xiàn)國內(nèi)3D NAND芯片量產(chǎn)僅一步之遙!

趙偉國再強調(diào)，除了武漢的長江存儲基地所需800億人民幣到位，另兩大基地成都、南京也會各自會再投入500億元，加上紫光正和重慶市政府、大基金等成立注冊資本1,000億元的新公司，五年備妥3,700億元的資金要把芯片產(chǎn)業(yè)建起來，這是個大戰(zhàn)略布局。

11日的裝機典禮中，全球半導(dǎo)體設(shè)備大廠高層齊聚一堂，未來武漢長江存儲的長期規(guī)劃是單月高達(dá)30萬片的12寸晶圓產(chǎn)能，加上南京、成都兩大基地，紫光集團(tuán)的“芯”布局絕對是推升全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)往前沖的一大助力，集團(tuán)內(nèi)部也期待在3D NAND技術(shù)領(lǐng)域在未來2~3年要彎道超車，積極累積手上的專利，關(guān)鍵是要在2020年上好好打上一仗!