[導讀]臺積電將于2013年大幅擴產(chǎn)28奈米(nm)制程產(chǎn)能。2012年臺積電靠著領(lǐng)先的28奈米技術(shù)，在晶圓代工市場打下漂亮一仗，營收及獲利皆屢創(chuàng)新高。邁入2013年，臺積電確信28奈米制程需求依然強勁，故預計將產(chǎn)能提高三倍，不予
臺積電將于2013年大幅擴產(chǎn)28奈米(nm)制程產(chǎn)能。2012年臺積電靠著領(lǐng)先的28奈米技術(shù)，在晶圓代工市場打下漂亮一仗，營收及獲利皆屢創(chuàng)新高。邁入2013年，臺積電確信28奈米制程需求依然強勁，故預計將產(chǎn)能提高三倍，不予競爭對手可趁之機，同時也協(xié)助更多新客戶順利將晶片從40奈米轉(zhuǎn)進28奈米世代。
臺積電董事長暨總執(zhí)行長張忠謀表示，臺積電今年將有32%營收來自智慧型手機相關(guān)晶片生產(chǎn)業(yè)務。
臺積電于17日舉辦2012年第四季法說會，即便在歲末年初的傳統(tǒng)淡季，因行動裝置需求維持高檔，使晶片商庫存調(diào)整天數(shù)僅微幅下降而持續(xù)拉貨，所以臺積電仍締造淡季不淡的亮麗成績，并于第四季營收年增25.4%，每股盈余達新臺幣1.61元。至于2013年第一季營收則預估達到新臺幣1,270～1,290億元，毛利率43.5～45.5%的水準，且全年結(jié)構(gòu)性獲利將成長1%以上。
臺積電董事長暨總執(zhí)行長張忠謀表示，拜行動通訊、電腦運算晶片加速制程微縮之賜，預期臺積電在2013全年28奈米產(chǎn)能利用率仍將維持滿載，營收貢獻比重則可望突破30%，一舉超越40奈米的占比。也因此，該公司今年已規(guī)畫增加約10%資本設備支出(CAPEX)，全力沖刺28奈米產(chǎn)能。
張忠謀指出，28奈米制程為晶片帶來顯著的電晶體密度及效能提升，并可降低耗電與量產(chǎn)成本，隨著臺積電新增產(chǎn)能陸續(xù)到位，勢將吸引更多行動裝置系統(tǒng)單晶片(SoC)、通訊晶片轉(zhuǎn)搭此一制程方案。此外，今年28奈米晶片在運算設備的滲透率更可望較去年成長130%，足見28奈米制程需求將持續(xù)從多方面涌來，成為臺積電未來幾年營運成長的主要動力，目前除一線晶片大廠外，該公司亦已掌握許多新進客戶。
事實上，2012年第一波28奈米制程商機幾乎由臺積電獨攬，因此，其整體毛利率及營業(yè)利益率均較2011年提高2.7%，銷售凈額也大幅成長18.5%，而其他營運目標也紛紛達陣甚至超前。2013年臺積電擴充三倍28奈米產(chǎn)能后，業(yè)界也認為將有效防堵格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)、三星(Samsung)及聯(lián)電發(fā)動搶單攻勢，更加確立其晶圓代工龍頭寶座。
在此同時，臺積電今年也計劃提高研發(fā)費用至總營收8%比例，并馬不停蹄投入部署20奈米高介電常數(shù)金屬閘極(HKMG)、16奈米鰭式電晶體(FinFET)、10奈米以下極紫外光微影(EUV)、18寸晶圓及2.5D/三維晶片(3DIC)的CoWoS(ChiponWaferonSubstrate)制程，以維持技術(shù)領(lǐng)先地位。
張忠謀透露，20奈米研發(fā)速度已超前當時28奈米的時程，2014年20奈米正式量產(chǎn)后，出貨量占比將優(yōu)于2012年的28奈米制程。另外，CoWoS制程也預計在2015～2016年放量，為臺積電挹注約10億美元的封裝業(yè)務營收貢獻。
臺積電財務長暨資深副總經(jīng)理何麗梅補充，該公司亦已在臺灣竹南購地，準備設立技術(shù)研發(fā)中心專攻18寸晶圓制造，以提升未來在市場上與英特爾(Intel)、IBM等國際大廠競爭的實力。
至于業(yè)界關(guān)注的景氣問題，張忠謀認為，2013年半導體市場驅(qū)動力將來自美國，以及中國大陸等新興國家對行動通訊和工業(yè)標準產(chǎn)品的需求，總體產(chǎn)值可望比去年提升3%；其中，IC設計業(yè)成長率上看9%，而晶圓代工產(chǎn)業(yè)則有7%左右的成長空間，將扮演半導體產(chǎn)業(yè)兩大箭頭。
臺積電董事長暨總執(zhí)行長張忠謀表示，臺積電今年將有32%營收來自智慧型手機相關(guān)晶片生產(chǎn)業(yè)務。
臺積電于17日舉辦2012年第四季法說會，即便在歲末年初的傳統(tǒng)淡季，因行動裝置需求維持高檔，使晶片商庫存調(diào)整天數(shù)僅微幅下降而持續(xù)拉貨，所以臺積電仍締造淡季不淡的亮麗成績，并于第四季營收年增25.4%，每股盈余達新臺幣1.61元。至于2013年第一季營收則預估達到新臺幣1,270～1,290億元，毛利率43.5～45.5%的水準，且全年結(jié)構(gòu)性獲利將成長1%以上。
臺積電董事長暨總執(zhí)行長張忠謀表示，拜行動通訊、電腦運算晶片加速制程微縮之賜，預期臺積電在2013全年28奈米產(chǎn)能利用率仍將維持滿載，營收貢獻比重則可望突破30%，一舉超越40奈米的占比。也因此，該公司今年已規(guī)畫增加約10%資本設備支出(CAPEX)，全力沖刺28奈米產(chǎn)能。
張忠謀指出，28奈米制程為晶片帶來顯著的電晶體密度及效能提升，并可降低耗電與量產(chǎn)成本，隨著臺積電新增產(chǎn)能陸續(xù)到位，勢將吸引更多行動裝置系統(tǒng)單晶片(SoC)、通訊晶片轉(zhuǎn)搭此一制程方案。此外，今年28奈米晶片在運算設備的滲透率更可望較去年成長130%，足見28奈米制程需求將持續(xù)從多方面涌來，成為臺積電未來幾年營運成長的主要動力，目前除一線晶片大廠外，該公司亦已掌握許多新進客戶。
事實上，2012年第一波28奈米制程商機幾乎由臺積電獨攬，因此，其整體毛利率及營業(yè)利益率均較2011年提高2.7%，銷售凈額也大幅成長18.5%，而其他營運目標也紛紛達陣甚至超前。2013年臺積電擴充三倍28奈米產(chǎn)能后，業(yè)界也認為將有效防堵格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)、三星(Samsung)及聯(lián)電發(fā)動搶單攻勢，更加確立其晶圓代工龍頭寶座。
在此同時，臺積電今年也計劃提高研發(fā)費用至總營收8%比例，并馬不停蹄投入部署20奈米高介電常數(shù)金屬閘極(HKMG)、16奈米鰭式電晶體(FinFET)、10奈米以下極紫外光微影(EUV)、18寸晶圓及2.5D/三維晶片(3DIC)的CoWoS(ChiponWaferonSubstrate)制程，以維持技術(shù)領(lǐng)先地位。
張忠謀透露，20奈米研發(fā)速度已超前當時28奈米的時程，2014年20奈米正式量產(chǎn)后，出貨量占比將優(yōu)于2012年的28奈米制程。另外，CoWoS制程也預計在2015～2016年放量，為臺積電挹注約10億美元的封裝業(yè)務營收貢獻。
臺積電財務長暨資深副總經(jīng)理何麗梅補充，該公司亦已在臺灣竹南購地，準備設立技術(shù)研發(fā)中心專攻18寸晶圓制造，以提升未來在市場上與英特爾(Intel)、IBM等國際大廠競爭的實力。
至于業(yè)界關(guān)注的景氣問題，張忠謀認為，2013年半導體市場驅(qū)動力將來自美國，以及中國大陸等新興國家對行動通訊和工業(yè)標準產(chǎn)品的需求，總體產(chǎn)值可望比去年提升3%；其中，IC設計業(yè)成長率上看9%，而晶圓代工產(chǎn)業(yè)則有7%左右的成長空間，將扮演半導體產(chǎn)業(yè)兩大箭頭。
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