聯(lián)發(fā)科跨入4G智慧手機(jī)時(shí)代
[導(dǎo)讀]聯(lián)發(fā)科積極布局中國(guó)大陸TD-LTE已久，長(zhǎng)期以來(lái)一直配合中國(guó)移動(dòng)與工信部進(jìn)行TD-LTE終端測(cè)試。面對(duì)全球發(fā)展4G的趨勢(shì)，聯(lián)發(fā)科如今正專(zhuān)注于研發(fā)雙通模式與可攜式HotSpot裝置。今日(25)聯(lián)發(fā)科參與4GInternationalSummit表
聯(lián)發(fā)科積極布局中國(guó)大陸TD-LTE已久，長(zhǎng)期以來(lái)一直配合中國(guó)移動(dòng)與工信部進(jìn)行TD-LTE終端測(cè)試。面對(duì)全球發(fā)展4G的趨勢(shì)，聯(lián)發(fā)科如今正專(zhuān)注于研發(fā)雙通模式與可攜式HotSpot裝置。今日(25)聯(lián)發(fā)科參與4GInternationalSummit表示：「全球LTE市場(chǎng)發(fā)展很快，可望是手機(jī)晶片下一個(gè)發(fā)展重心，預(yù)計(jì)明年下半年推出中國(guó)規(guī)格TD-LTE、FDD-LTE的4G智慧型手機(jī)晶片。」
聯(lián)發(fā)科認(rèn)為：「LTE真的越來(lái)越重要了！」從明年開(kāi)始，LTE在通訊產(chǎn)業(yè)的發(fā)展上，是很重要的調(diào)配。目前全球主要LTE頻段已經(jīng)有超過(guò)10個(gè)以上，以L(fǎng)TE發(fā)展來(lái)說(shuō)，美國(guó)跑得最快，尤其是Verizon為領(lǐng)頭羊，其次是AT&T；而亞洲部分，則以日本NTTDOCOMO、韓國(guó)為先。
因此，從各國(guó)發(fā)展4G經(jīng)驗(yàn)案例來(lái)看，聯(lián)發(fā)科將會(huì)藉由2G、3G的經(jīng)驗(yàn)，去延伸發(fā)展4G，并且讓4G的手機(jī)晶片能夠向下相容，因此，2G、3G將會(huì)是聯(lián)發(fā)科往4G發(fā)展的重要基礎(chǔ)。不過(guò)，聯(lián)發(fā)科在積極發(fā)展4G市場(chǎng)之際，并不會(huì)放棄經(jīng)營(yíng)2G智慧手機(jī)。
據(jù)了解，聯(lián)發(fā)科正在想盡辦法通過(guò)雙通手機(jī)以及可攜式HotSpot裝置的測(cè)試，針對(duì)4G智慧手機(jī)的研發(fā)，聯(lián)發(fā)科HanTan表示：「此時(shí)此刻，聯(lián)發(fā)科將會(huì)專(zhuān)注于研發(fā)『在雙通模式下，能夠減少功耗』的晶片解決方案?！顾忉?zhuān)酝p通手機(jī)，功耗一直是很大的問(wèn)題，因此如何將功耗降低，是發(fā)展4G智慧手機(jī)晶片的關(guān)鍵。
然而，不只是功耗問(wèn)題，HanTan說(shuō)明，其實(shí)發(fā)展4GLTE手機(jī)所遇到的挑戰(zhàn)與課題，有以下五項(xiàng)：一，為了發(fā)展4G，又必須往下相容2G、3G的情況下，晶片必須支持眾多連接埠，導(dǎo)致整個(gè)Layout難以設(shè)計(jì)。二、頻譜干擾、多頻相容的問(wèn)題。三、天線(xiàn)設(shè)計(jì)以及電路板布局困難。四、終端功耗過(guò)大。五、測(cè)試認(rèn)證成本花費(fèi)相當(dāng)高。他說(shuō)，相信只要能夠盡快克服這些挑戰(zhàn)，聯(lián)發(fā)科面對(duì)4G產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)，將會(huì)有很好的優(yōu)勢(shì)。
聯(lián)發(fā)科認(rèn)為：「LTE真的越來(lái)越重要了！」從明年開(kāi)始，LTE在通訊產(chǎn)業(yè)的發(fā)展上，是很重要的調(diào)配。目前全球主要LTE頻段已經(jīng)有超過(guò)10個(gè)以上，以L(fǎng)TE發(fā)展來(lái)說(shuō)，美國(guó)跑得最快，尤其是Verizon為領(lǐng)頭羊，其次是AT&T；而亞洲部分，則以日本NTTDOCOMO、韓國(guó)為先。
因此，從各國(guó)發(fā)展4G經(jīng)驗(yàn)案例來(lái)看，聯(lián)發(fā)科將會(huì)藉由2G、3G的經(jīng)驗(yàn)，去延伸發(fā)展4G，并且讓4G的手機(jī)晶片能夠向下相容，因此，2G、3G將會(huì)是聯(lián)發(fā)科往4G發(fā)展的重要基礎(chǔ)。不過(guò)，聯(lián)發(fā)科在積極發(fā)展4G市場(chǎng)之際，并不會(huì)放棄經(jīng)營(yíng)2G智慧手機(jī)。
據(jù)了解，聯(lián)發(fā)科正在想盡辦法通過(guò)雙通手機(jī)以及可攜式HotSpot裝置的測(cè)試，針對(duì)4G智慧手機(jī)的研發(fā)，聯(lián)發(fā)科HanTan表示：「此時(shí)此刻，聯(lián)發(fā)科將會(huì)專(zhuān)注于研發(fā)『在雙通模式下，能夠減少功耗』的晶片解決方案?！顾忉?zhuān)酝p通手機(jī)，功耗一直是很大的問(wèn)題，因此如何將功耗降低，是發(fā)展4G智慧手機(jī)晶片的關(guān)鍵。
然而，不只是功耗問(wèn)題，HanTan說(shuō)明，其實(shí)發(fā)展4GLTE手機(jī)所遇到的挑戰(zhàn)與課題，有以下五項(xiàng)：一，為了發(fā)展4G，又必須往下相容2G、3G的情況下，晶片必須支持眾多連接埠，導(dǎo)致整個(gè)Layout難以設(shè)計(jì)。二、頻譜干擾、多頻相容的問(wèn)題。三、天線(xiàn)設(shè)計(jì)以及電路板布局困難。四、終端功耗過(guò)大。五、測(cè)試認(rèn)證成本花費(fèi)相當(dāng)高。他說(shuō)，相信只要能夠盡快克服這些挑戰(zhàn)，聯(lián)發(fā)科面對(duì)4G產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)，將會(huì)有很好的優(yōu)勢(shì)。
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