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[導讀]英特爾公布了在2013年將14納米制程技術應用于制造中央處理器以及SoCs的計劃,以及計劃在2015年研發(fā)10納米及其以下的制程技術。在舊金山舉行的英特爾信息技術峰會,公司高級研究員MarkBohr表示技術路標展示了因特爾在

英特爾公布了在2013年將14納米制程技術應用于制造中央處理器以及SoCs的計劃,以及計劃在2015年研發(fā)10納米及其以下的制程技術。

在舊金山舉行的英特爾信息技術峰會,公司高級研究員MarkBohr表示技術路標展示了因特爾在半導體制造工藝技術上始終處于行業(yè)領頭的地位。

英特爾公布了即將到來的代號為P1272andP1273的14納米制程技術,其準備于2013年投產。供應商宣稱將將在三個州生產測試上述產品。

英特爾先前確認對上述三種fab投資以應用于14納米及更低的制程技術。

此外,英特爾宣稱對10納米,7納米,5納米制程技術的研究將開始于2015年。

2011年5月,英特爾宣稱其三維三柵級晶體管取得了突破性的進展,能夠使芯片以低電壓較少泄漏量的情況下工作,與老式的晶體管相比在表現(xiàn)性能和能源利用率方面提高了很多。新型的晶體管已應用于第三代酷睿i系列處理器于2011年底大批量生產。

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