賴品如／臺北 英飛凌科技針對要求嚴(yán)格的電動與混合動力車等汽車電子應(yīng)用，推出兼具高電流與高效率的創(chuàng)新封裝技術(shù)。全新的TO封裝符合JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) H-PSOF(帶散熱器的塑膠小型扁平引腳封裝)。首款采用H-PSOF封裝技術(shù)的產(chǎn)品為40V OptiMOS T2功率晶體，電流可高達(dá) 300A，及超低的RDS(on)值(僅 0.76m?)。

效能優(yōu)異的電力電子元件可協(xié)助汽車系統(tǒng)設(shè)計業(yè)者符合政府規(guī)定，提高汽車燃油效率標(biāo)準(zhǔn)，以及更低的整體排放量，為滿足這些標(biāo)準(zhǔn)，需要電流大于200A且RDS(on)小于1m?的功率MOSFET，以降低導(dǎo)通損失并提升整體效率。目前，汽車電子市場尚未出現(xiàn)滿足上述需求的MOSFET。

推出H-PSOF封裝之后，英飛凌提供電流可高達(dá)300A與RDS(on)僅0.76m?的40V功率MOSFET，為業(yè)界立下新的里程碑。此外，H-PSOF的整體尺寸和高度較常用的標(biāo)準(zhǔn)D2PAK封裝(TO-263)更小巧：H-PSOF封裝尺寸減少約20%，且高度幾乎只有目前D2PAK封裝的一半。

英飛凌汽車電子事業(yè)處總裁Jochen Hanebeck表示：「英飛凌開發(fā)創(chuàng)新的H-PSOF封裝技術(shù)，結(jié)合在汽車系統(tǒng)領(lǐng)域的專業(yè)，更加鞏固了英飛凌在汽車和電力電子的領(lǐng)先地位。專為高電流MOSFET開發(fā)的創(chuàng)新封裝技術(shù)，將協(xié)助我? 怐漕T車系統(tǒng)供應(yīng)商客戶設(shè)計更節(jié)能且可靠的汽車應(yīng)用，以滿足降低油耗及碳排放的需求?！?br>
H-PSOF封裝讓汽車電子制造商能在高電流應(yīng)用市場中提供更好的產(chǎn)品。高電流應(yīng)用包括混合動力車的電池管理、電子動力轉(zhuǎn)向 (EPS)、主動式交流發(fā)電及其他重載應(yīng)用，能提供更高的效率與更低的碳排放量。美國市調(diào)公司Strategy Analytics最近的研究報告指出，成長中的應(yīng)用領(lǐng)域包括汽車EPS及啟動停止系統(tǒng)等，預(yù)估數(shù)量將從2011年的4,700萬組，成長至2016年的11,000萬組，平均年復(fù)合成長率達(dá)19%。

H-PSOF封裝的開發(fā)，主要目標(biāo)是降低封裝電阻，并提供比高電流封裝D2PAK更優(yōu)異的電流量。H-PSOF封裝亦具備組裝及制造優(yōu)勢。其特殊設(shè)計確保良好的沾錫性，提供可靠的焊接品質(zhì)，并可透過表面黏著技術(shù)(SMT)生產(chǎn)線其中的自動光學(xué)檢查(AOI)控