通過此次技術(shù)進(jìn)行CoW連接的300mm晶圓。（點(diǎn)擊放大）

展板。（點(diǎn)擊放大）
富士通研究所在“第13屆半導(dǎo)體封裝技術(shù)展”上，參考展出了不使用焊錫，在低溫（225℃）下使銅凸點(diǎn)進(jìn)行固相擴(kuò)散的三維封裝芯片連接技術(shù)，并展出了采用該技術(shù)進(jìn)行CoW（Chip on Wafer）連接的300mm晶圓。

目前，CoC（Chip on Chip）等三維封裝的芯片連接技術(shù)大多采用焊錫凸點(diǎn)，但難以在確保底部填充所需凸點(diǎn)高度的同時(shí)實(shí)現(xiàn)窄間距，因?yàn)楹稿a凸點(diǎn)之間會(huì)相互接觸。為此，業(yè)界一直在討論采用銅柱的焊錫連接，但存在連接部分會(huì)形成合金，導(dǎo)致連接可靠性降低的課題。

為此，富士通研究所開發(fā)出了不使用焊錫在低溫下直接接合銅凸點(diǎn)的技術(shù)。在形成銅凸點(diǎn)的晶圓上涂上底部填充材料后，將底部填充材料與銅凸點(diǎn)統(tǒng)一切削形成平坦面，將需要連接的晶圓做同樣處理后，在大氣中對(duì)兩個(gè)平面進(jìn)行熱壓焊。在通過切削形成的平坦面上，銅表面會(huì)形成非晶質(zhì)，因此可通過接合時(shí)的加熱工序輕松地進(jìn)行再結(jié)晶。所以，接合時(shí)的溫度為225℃，低于Sn-Ag回流焊接溫度。

新技術(shù)可用于微處理器和緩存的層疊連接等。主要面向2018～2020年前后的高端計(jì)算用途。（記者：木村 雅秀，《日經(jīng)電子》）