中評(píng)社香港7月9日電／中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心（以下簡(jiǎn)稱先導(dǎo)工藝研發(fā)中心）通過4年的艱苦攻關(guān)，在22納米關(guān)鍵工藝技術(shù)先導(dǎo)研究與平臺(tái)建設(shè)上，實(shí)現(xiàn)了重要突破，在國(guó)內(nèi)首次采用后高K工藝成功研制出包含先進(jìn)高K／金屬柵模塊的22納米柵長(zhǎng)MOSFETs，器件性能良好。

據(jù)《中國(guó)科學(xué)報(bào)》報(bào)道，由于這一工作采用了與工業(yè)生產(chǎn)一致的工藝方法和流程，具備向產(chǎn)業(yè)界轉(zhuǎn)移的條件，因而對(duì)我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的技術(shù)升級(jí)形成了具有實(shí)際意義的推動(dòng)作用。同時(shí)，該先導(dǎo)工藝研發(fā)中心建成了一個(gè)能夠開展22納米及以下技術(shù)代研發(fā)的工藝平臺(tái)。

這標(biāo)志著，我國(guó)也加入了高端集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)的國(guó)際俱樂部。

優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)“穿插偵察”齊上陣

4位“千人計(jì)劃”、5位中科院百人計(jì)劃，30多位工業(yè)界核心的工程師團(tuán)隊(duì)……先導(dǎo)工藝研發(fā)中心擁有這樣一支令人艶羨的國(guó)際化研發(fā)團(tuán)隊(duì)。

“我們整個(gè)項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)在構(gòu)架上做得比較好。海歸跟本土團(tuán)隊(duì)結(jié)合得水乳交融，形成優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)。”該中心主任趙超表示。

2009年，在國(guó)家科技重大專項(xiàng)02專項(xiàng)的支持下，微電子所成團(tuán)隊(duì)引進(jìn)了一大批海歸，建成了擁有200多名研發(fā)人員的集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心。

楊世寧、朱慧瓏、趙超、閆江4位“千人”在磨合中迅速形成優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)的決策團(tuán)隊(duì)，在4年艱苦的攻關(guān)中擰成一股繩，打出了漂亮的短傳配合。

例如，楊世寧原是中芯國(guó)際的首席運(yùn)營(yíng)官，現(xiàn)任中科院微電子所所長(zhǎng)執(zhí)行顧問一職。他具有非常豐富的產(chǎn)業(yè)化運(yùn)營(yíng)經(jīng)驗(yàn)，是一個(gè)“會(huì)做減法的人”，能始終把握主干，而將枝枝葉葉修剪掉，使項(xiàng)目迅速有效率地直奔目標(biāo)。