晶圓代工廠聯(lián)電（2303）昨（22）日宣布以1.1億美元（約新臺幣32.9億元）在新加坡12i設(shè)立特殊技術(shù)研發(fā)制造的基地「Center of Excellence」，市場解讀，聯(lián)電與臺積電在28納米以下力拚之余，將透過特殊制程與現(xiàn)有大廠差異化，打造成長新契機。

聯(lián)電表示，看好車用、行動、智能型手機與平板計算機等日益龐大的特殊制程市場，希望在先進制程的技術(shù)提升之外進行附加價值。

這項宣布，也是聯(lián)電第一個海外研發(fā)中心的打造計劃，聯(lián)電近日股價在外資強力回補下一度來到一年來新高，昨天小幅回檔，下跌0.2元，收盤價13.9元，成交量爆出15.87萬余張，外資、投信分別買超3.4萬張、2,900張，自營商賣超6,300張。

聯(lián)電已陸續(xù)與意法半導(dǎo)體就55納米合作背照式影像傳感器（BSI CMOS），也與飛索半導(dǎo)體宣布就公司40納米的LP邏輯制程，展開嵌入式電荷擷取快閃存儲器技術(shù)合作。

聯(lián)電近年來在12寸晶圓廠的技術(shù)投資多放在南科12A，新加坡因為投資成本較高，仍維持65納米以下的12寸技術(shù)，聯(lián)電營運長陳文洋表示，透過這座專為先進特殊技術(shù)研發(fā)與制造基地所設(shè)計的12寸晶圓廠，促進許多特殊制程所需技術(shù)的問世，讓聯(lián)電充分掌握跨入新市場的契機。

聯(lián)電表示，新設(shè)立的「Center of Excellence」，將與微電子研究院等新加坡本地研究機構(gòu)進行研發(fā)合作，并將已開發(fā)之技術(shù)，包含背照式影像傳感器（BSI CMOS）、嵌入式存儲器、高壓應(yīng)用產(chǎn)品以及直通矽晶穿孔連結(jié)等。

聯(lián)電Fab 12i廠是公司唯一位于臺灣以外的12寸晶圓廠，現(xiàn)有月產(chǎn)能為近4.5萬片，占聯(lián)電12寸晶圓總產(chǎn)出的45%。為了強化特殊技術(shù)的研發(fā)，聯(lián)電今年內(nèi)將于Fab 12i廠增加逾80名工程師。聯(lián)電Fab 12i廠累積至今的投入金額約為36億美元，現(xiàn)有員工人數(shù)約為1,600名。