宏力半導(dǎo)體90納米低漏電邏輯與混合信號平臺,
[導(dǎo)讀]上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(以下簡稱“宏力半導(dǎo)體”)宣布推出8英寸90納米低漏電邏輯與混合信號平臺(以下簡稱“90納米平臺”)。
宏力半導(dǎo)體的90納米平臺為客戶提供了更經(jīng)濟(jì)的8英寸工藝解決方案。該平臺不僅在芯
上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司(以下簡稱“宏力半導(dǎo)體”)宣布推出8英寸90納米低漏電邏輯與混合信號平臺(以下簡稱“90納米平臺”)。
宏力半導(dǎo)體的90納米平臺為客戶提供了更經(jīng)濟(jì)的8英寸工藝解決方案。該平臺不僅在芯片柵密度上與業(yè)界普遍采用的12英寸90納米工藝相近,還通過工藝優(yōu)化的方式減少了掩模板層數(shù),進(jìn)一步降低了成本。與上一代0.13微米1.5伏低漏電技術(shù)相比,新推出的90納米平臺可在相同速度與低漏電的情況下,將邏輯電路尺寸縮小近50%;其后段制程延續(xù)了鋁導(dǎo)線工藝,也有利于傳統(tǒng)8英寸產(chǎn)品的遷徙換代。同時,該平臺配備了高密度的標(biāo)準(zhǔn)單元庫、存儲器IP庫和輸入輸出接口單元庫,其中CUP (Circuit Under Pad)輸入輸出接口單元庫的性能面積比達(dá)到業(yè)內(nèi)同類技術(shù)先進(jìn)水平。宏力半導(dǎo)體的90納米平臺及其配套IP庫可幫助客戶進(jìn)一步縮小芯片面積、優(yōu)化低功耗設(shè)計(jì),為其提供更經(jīng)濟(jì)的解決方案。
企業(yè)發(fā)展暨戰(zhàn)略單位副總經(jīng)理傅城博士表示:“90納米是目前宏力半導(dǎo)體最先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)。該低漏電平臺可打造廣泛適用于以USB存儲控制器、嵌入式多媒體記憶卡等多種新興應(yīng)用為代表的計(jì)算機(jī)與周邊、消費(fèi)類電子產(chǎn)品以及工業(yè)產(chǎn)品。而且,我們的90納米工藝實(shí)現(xiàn)了業(yè)界同類技術(shù)中最少的掩模板層數(shù),可為客戶產(chǎn)品上市搶得先機(jī)?!?br>
宏力半導(dǎo)體的90納米平臺為客戶提供了更經(jīng)濟(jì)的8英寸工藝解決方案。該平臺不僅在芯片柵密度上與業(yè)界普遍采用的12英寸90納米工藝相近,還通過工藝優(yōu)化的方式減少了掩模板層數(shù),進(jìn)一步降低了成本。與上一代0.13微米1.5伏低漏電技術(shù)相比,新推出的90納米平臺可在相同速度與低漏電的情況下,將邏輯電路尺寸縮小近50%;其后段制程延續(xù)了鋁導(dǎo)線工藝,也有利于傳統(tǒng)8英寸產(chǎn)品的遷徙換代。同時,該平臺配備了高密度的標(biāo)準(zhǔn)單元庫、存儲器IP庫和輸入輸出接口單元庫,其中CUP (Circuit Under Pad)輸入輸出接口單元庫的性能面積比達(dá)到業(yè)內(nèi)同類技術(shù)先進(jìn)水平。宏力半導(dǎo)體的90納米平臺及其配套IP庫可幫助客戶進(jìn)一步縮小芯片面積、優(yōu)化低功耗設(shè)計(jì),為其提供更經(jīng)濟(jì)的解決方案。
企業(yè)發(fā)展暨戰(zhàn)略單位副總經(jīng)理傅城博士表示:“90納米是目前宏力半導(dǎo)體最先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)。該低漏電平臺可打造廣泛適用于以USB存儲控制器、嵌入式多媒體記憶卡等多種新興應(yīng)用為代表的計(jì)算機(jī)與周邊、消費(fèi)類電子產(chǎn)品以及工業(yè)產(chǎn)品。而且,我們的90納米工藝實(shí)現(xiàn)了業(yè)界同類技術(shù)中最少的掩模板層數(shù),可為客戶產(chǎn)品上市搶得先機(jī)?!?br>





