晶圓代工二哥聯電（2303）昨（4）日宣布，與快閃存儲器廠美商飛索（Spansion）簽訂技術研發(fā)與授權協(xié)議，雙方將共同開發(fā)集成邏輯與快閃存儲器技術，以推動高效能低功耗電子產品的問世。

聯電及飛索將展開40納米制程研發(fā)合作，集成聯電40納米低功耗（LP）邏輯制程，以及飛索嵌入式電荷擷取快閃存儲器技術（embedded Charge Trap，eCT），此份非專屬授權協(xié)議包含了授權聯電采用此技術為飛索進行晶圓代工。

飛索嵌入式電荷擷取技術是兼具高效能、低功耗、與成本效益的NOR快閃存儲器技術，而此項新技術可與先進邏輯制程相集成，用于系統(tǒng)單芯片產品上。此外，此技術可微縮至40納米以下，并可與高介電（High-k）制程結合。

采用飛索eCT技術的產品，將促進工業(yè)、汽車與消費性電子等應用產品所采用的技術，朝向更快速更尖端的研發(fā)方向邁進。飛索的eCT技術是擴展該公司可程序系統(tǒng)解決方案（Programmable System Solutions，PSS）產品技術藍圖的主要推手，其結合快閃存儲器與邏輯電路后，可強化需要大量使用存儲器、MIPS處理核心等應用產品的處理效能。