聯(lián)電(UMC-US)(2303-TW)今(6)日公布2012 年第四季財(cái)務(wù)報(bào)告，營(yíng)業(yè)收入為新臺(tái)幣260.9億元，與上季的新臺(tái)幣285.3億元相比降低8.5%，較2011年同期的新臺(tái)幣244.3億元成長(zhǎng)6.8%。2012年全年每股賺0.63元，第四季每股賺0.09元。
聯(lián)電第四季毛利率為16.8%，營(yíng)業(yè)凈利率為3.7%，稅后凈利新臺(tái)幣11.7億元，每股普通股獲利為新臺(tái)幣0.09元。聯(lián)電2012年全年?duì)I收為1,060億元，營(yíng)業(yè)利益90.8億元，稅后凈利79.2億元，每股盈余新臺(tái)幣0.63元。

聯(lián)電新任執(zhí)行長(zhǎng)顏博文表示，2012年第四季營(yíng)運(yùn)符合預(yù)期：營(yíng)業(yè)收入下降主要是受出貨量減少的影響；出貨量約當(dāng)八吋晶圓106.9萬片，整體產(chǎn)能利用率為80% 。由于出貨量下降及新臺(tái)幣升值的影響，本季毛利率為16.8%。40奈米先進(jìn)制程營(yíng)收比重持續(xù)增加到15%，順利達(dá)成內(nèi)部目標(biāo)。
他強(qiáng)調(diào)，隨著產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇，客戶對(duì)于先進(jìn)制程技術(shù)從開發(fā)到量產(chǎn)的速度以及服務(wù)彈性的要求更為提高，身為聯(lián)電新任執(zhí)行長(zhǎng)，最優(yōu)先的目標(biāo)是強(qiáng)化高階制程研發(fā)。同時(shí)也將增加內(nèi)部資源及協(xié)同外部的合作開發(fā)，以聯(lián)華電子2010年起開發(fā)的FinFET 3D電晶體制程技術(shù)為例，透過IBM于2012年的技術(shù)授權(quán)合作，盡管28奈米貢獻(xiàn)略遜預(yù)期但透過專業(yè)團(tuán)隊(duì)可達(dá)到良好的研發(fā)進(jìn)展。