工研院3日與日本基板大廠KANEKA共同發(fā)表，合作開發(fā)可應(yīng)用于未來軟性顯示器的半導(dǎo)體氧化物電晶體陣列技術(shù) (IGZO)，研究成果已獲第19屆全球顯示技術(shù)研討會 (IDW’12)入選論文殊榮，并受邀于12月4日研討會中發(fā)表。

工研院表示，傳統(tǒng)的電晶體是在380°c高溫制程中，在矽晶圓 (Wafer)或玻璃等堅固材質(zhì)上，利用濺鍍、光蝕刻、蒸鍍等半導(dǎo)體制程，在矽晶圓上制作出極小的微結(jié)構(gòu)。

工研院開發(fā)的IGZO TFT陣列創(chuàng)新使用塑膠基板及低溫≦200°C制程，使電晶體在低溫制程中，仍具有好的電流開關(guān)比特性，也因整合元件結(jié)構(gòu)，突破制程中溫度升高時，電晶體與塑膠基板兩個不同材質(zhì)因熱脹冷縮不一致的應(yīng)力問題，使軟性基板在制作過程中不易破裂外，也使軟性基板在制程中維持其平坦性及透明度，易于制作高撓曲TFT背板。

工研院的創(chuàng)新氧化物薄膜電晶體陣列技術(shù)，已整合應(yīng)用于基板大廠KANEKA的軟性塑膠 ( Polyimide,PI)基板，經(jīng)過雙方合作驗證，已成功克服應(yīng)力所造成元件特性失效的技術(shù)挑戰(zhàn)及實現(xiàn)高撓曲氧化物薄膜電晶體陣列技術(shù) (曲率半徑小于1公分)；同時也透過合作調(diào)整，KANEKA公司也發(fā)展出大于85%高透明度、低熱膨脹 (<10ppm/oC)及高耐熱溫度 (>300 oC)特性的基板。

預(yù)計這項這項技術(shù)可廣泛應(yīng)用于軟性AMOLED、軟性AM LCD或軟性EPD，甚至軟性O(shè)PV及OLED Lighting，可加速實現(xiàn)手機、電腦或電視等產(chǎn)品變身為輕薄、柔軟及可彎曲的產(chǎn)品，也為軟性電子打開嶄新應(yīng)用。