巴克萊資本證券亞太區(qū)半導(dǎo)體首席分析師陸行之昨（15）日指出，近期臺(tái)積電8寸晶圓需求突然轉(zhuǎn)強(qiáng)、將抵消12寸晶圓需求的季節(jié)性疲弱，使得第四季營(yíng)收下滑幅度可望縮小至6％，優(yōu)于先前財(cái)測(cè)目標(biāo)的下滑7％至9％。

此外，看好臺(tái)積電先進(jìn)制程優(yōu)勢(shì)將由28納米延續(xù)至20納米題材，花旗環(huán)球證券半導(dǎo)體分析師徐振志昨天將目標(biāo)價(jià)由105元調(diào)升至110元。

陸行之看好臺(tái)積電第四季財(cái)測(cè)可望超標(biāo)原因包括：一、8寸相關(guān)RAMless LCD驅(qū)動(dòng)、觸控面板控制器、500/800萬(wàn)畫數(shù)CMOS感測(cè)元件、指紋辨識(shí)IC元件等需求增加；二、智能型手機(jī)與平板計(jì)算機(jī)等12寸相關(guān)基頻與ARM應(yīng)用處理器（AP）需求增加。

因此，陸行之將臺(tái)積電第四季營(yíng)收下滑幅度上調(diào)3個(gè)百分點(diǎn)達(dá)5％至6％，可望優(yōu)于財(cái)測(cè)目標(biāo)的下滑7％至9％，并將第四季每股獲利預(yù)估值調(diào)升6％至1.62元，優(yōu)于市場(chǎng)平均值1.58元。

根據(jù)陸行之的最新評(píng)估，整個(gè)第四季臺(tái)積電打算將8寸產(chǎn)能利用率維持在98％至101％的水平，12寸15廠的28納米產(chǎn)能利用率為110％。

然而，12廠與14廠受到高效能PC繪圖、HDD控制器、65納米CMOS感測(cè)元件、FPGA/PLD等客戶調(diào)節(jié)訂單影響，產(chǎn)能利用率可能會(huì)由第三季的90％降至第四季的70％，因此臺(tái)積電第四季整體產(chǎn)能利用率仍會(huì)由第三季的91％降至81％。

至于高階制程的季節(jié)性需求拉回，徐振志認(rèn)為不用太擔(dān)心，受惠于28納米采用強(qiáng)勁需求、技術(shù)優(yōu)勢(shì)、產(chǎn)能調(diào)配轉(zhuǎn)趨有效率，將臺(tái)積電明年28納米占營(yíng)收比重預(yù)估值由23％調(diào)升至31％。

徐振志指出，以往65納米制程量產(chǎn)后需要花5至6年的時(shí)間，占整體營(yíng)收比重方能超過(guò)30％，但28納米只花了3年時(shí)間，就可達(dá)成此一目標(biāo)，應(yīng)可降低市場(chǎng)對(duì)于28納米高資本支出恐低報(bào)酬的疑慮。

更甚者，徐振志看好臺(tái)積電先進(jìn)制程領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)將由28納米延伸至20納米，不但競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手變少、更預(yù)估至少領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手達(dá)1年的時(shí)間，28與20納米讓2012至2015年的臺(tái)積電幾近獨(dú)占，因此，看好投資價(jià)值提升趨勢(shì)可望持續(xù)下去。