聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)于SEMICON臺灣展會期間發(fā)表3D IC 技術趨勢與進展。聯(lián)電企業(yè)行銷總監(jiān)黃克勤表示，聯(lián)電克服開發(fā)初期制程問題，今年年底3D IC將進行產(chǎn)品級封裝與測試。

他說明了聯(lián)電在3D IC方面的最新進展。

聯(lián)電3D IC是以Via-middle制程為基礎，從今年初開始進行TSV制程最佳化，預計今年底進行產(chǎn)品級的封裝與測試以及可靠性評估。

他表示，雖然在開發(fā)初期曾遭遇銅填充、金屬堆疊等TSV完整性制程問題，但現(xiàn)在都已經(jīng)克服。

他強調，運用現(xiàn)有的CMOS制程技術與代工、封測廠生態(tài)系統(tǒng)，將會是較佳的業(yè)務模式。