格羅方德技術(shù)長Gregg Bartlett表示，為解決這些新矽節(jié)??點(diǎn)上的挑戰(zhàn)，該公司與合作伙伴共同開發(fā)封裝解決方案，用多元合作的方式，為客戶提供最大的選擇與彈性，同時(shí)節(jié)省成本、縮短量產(chǎn)時(shí)間，并降低開發(fā)新科技的風(fēng)險(xiǎn)。在晶圓八廠內(nèi)，為20奈米技術(shù)導(dǎo)入TSV功能，可結(jié)合整個(gè)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中的設(shè)計(jì)至組裝測試公司，建立共同開發(fā)與制造的合伙關(guān)系。

TSV功能允許客戶將多個(gè)晶片垂直堆疊，為未來電子裝置的嚴(yán)苛需求開創(chuàng)新道路。TSV的本質(zhì)是在矽上以蝕刻方式垂直鉆孔，再以銅填滿，使垂直堆疊的整合式電路間得以進(jìn)行通訊。例如，該技術(shù)允許電路設(shè)計(jì)師將記憶體晶片的堆疊放置在應(yīng)用程式處理器之上，大幅提升記憶體頻寬及降低耗電量。這也是新一代行動裝置，如智慧型手機(jī)及平板電腦設(shè)計(jì)師所面臨的最大難題。

在節(jié)點(diǎn)中采用3D整合式電路堆疊，逐漸被視為一種替代方案，可用以調(diào)整在電晶體上的傳統(tǒng)技術(shù)節(jié)點(diǎn)。然而，引進(jìn)新的封裝技術(shù)后，晶片封裝的相互作用復(fù)雜性也大幅提升，代工廠與合作伙伴在提供端對端的解決方案時(shí)，也較不易滿足多元的設(shè)計(jì)需求。

格羅方德新晶圓八廠聚焦于32/28奈米及以下制程，而20奈米的技術(shù)開發(fā)目前正順利進(jìn)行中。第一個(gè)采用TSV的全流式矽(Full-Flow Silicon)預(yù)計(jì)將于今年第三季在晶圓八廠內(nèi)開始運(yùn)作。

格羅方德網(wǎng)址：www.globalfoundries.com