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[導讀]3D IC趨勢已成型,生產(chǎn)制程設(shè)備廠志圣(2467)推出2.5D/3D IC真空晶圓壓膜制程以及一系列其他3D IC相關(guān)的制程設(shè)備配套的解決方案,志圣表示,相較于現(xiàn)有干式制程輪壓合的方法,干式真空晶圓壓膜制程徹底解決該法產(chǎn)生破

3D IC趨勢已成型,生產(chǎn)制程設(shè)備廠志圣(2467)推出2.5D/3D IC真空晶圓壓膜制程以及一系列其他3D IC相關(guān)的制程設(shè)備配套的解決方案,志圣表示,相較于現(xiàn)有干式制程輪壓合的方法,干式真空晶圓壓膜制程徹底解決該法產(chǎn)生破片、氣泡、壓合不足、良率不佳及產(chǎn)生污染等缺點,在制作光阻層的應用上,志圣真空晶圓壓膜制程更具備能將10微米到30微米的高厚度的光阻層制作1次完成,且對于光阻材料的利用率高達60% 的巨大優(yōu)點。
另外,志圣表示,相較于現(xiàn)有濕式制程,志圣工業(yè)真空晶圓壓膜制程制作光阻層的速度是濕式制程的3倍,大幅提升生產(chǎn)效率,于光阻材料使用上相較于濕式制程10%的低光阻使用率,更節(jié)省50%以上的用量,大幅提高半導體業(yè)界使用者在成本上的競爭能力。除此之外,,志圣的真空晶圓壓膜制程可減少一個EBR(晶邊清洗)的制程,而省去了EBR的制程及時間,也意味著產(chǎn)品不良率的進一步降低。

3D IC為將晶片立體堆疊化的整合模式,以達到尺寸精簡的最佳效益,其最大特點在于可將不同功能、性質(zhì)或基板的晶片,各自采用最合適的制程分別制作后,再利用矽穿孔(Through-Si Via, TSV)技術(shù)進行立體堆疊整合,以有效縮短金屬導線長度及連線電阻,進而減少晶片面積,具有小體積、高整合度、高效率、低耗電量及成本之優(yōu)勢,并同時符合數(shù)位電子輕薄短小發(fā)展趨勢要求。
志圣專精在熱制程(Thermal Transfer)、紫外線制程(UV Light Treatment)、電漿制程(Plasma)、濕制程(Wet Process)與壓膜涂布制程(Lamination & Coating)等各大制程;目前在兩岸擁有6個生產(chǎn)基地,并于臺北、新竹、臺中、廣州、昆山、千燈等地設(shè)立三十個「大中華」生產(chǎn)及服務據(jù)點。
志圣主要專注生產(chǎn)制程設(shè)備,市場廣泛應用在主要電子產(chǎn)業(yè)(PCB、FPD、SEMI、PV、LED等),提供各式客制化制程生產(chǎn)設(shè)備,產(chǎn)品包括 TSV/MEMS深蝕刻設(shè)備、LED/PV干蝕刻設(shè)備、晶圓壓膜機、AMHS/CIM自動化設(shè)備整合及無氧無塵烘箱;主要客戶包含聯(lián)電(2303)、臺積電(2330)、日月光(2311)、敦南(5305)、矽品(2325)等知名大廠。



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