國際大廠大砍資本支出 臺積聯(lián)電利多浮現(xiàn)
[導讀]由超微(AMD)轉投資的晶圓代工廠格羅方德(Globalfoundries)敲定今年資本支出約30億美元,比去年大減44.4%,為近期首家發(fā)布2012年資本支出的晶圓代工廠。
市場解讀,格羅方德大降資本支出,有助緩和12寸投資產(chǎn)能過剩
由超微(AMD)轉投資的晶圓代工廠格羅方德(Globalfoundries)敲定今年資本支出約30億美元,比去年大減44.4%,為近期首家發(fā)布2012年資本支出的晶圓代工廠。
市場解讀,格羅方德大降資本支出,有助緩和12寸投資產(chǎn)能過剩疑慮,先進制程價格壓力下降,加上景氣首季觸底可期,為臺積電(2330)、聯(lián)電帶來潛在利多。
格羅方德執(zhí)行官馬諾查(Ajit Manocha)參加美國消費者電子大展(CES),如上表示。外電引述他的話說,今年格羅方德將投入30億美元資本支出,加強紐約廠晶圓設備的建設,紐約廠以40、28納米以下先進制程為主。
格羅方德是全球第三大晶圓代工制造商,被臺積電董事長張忠謀視為眼中的競爭對手之一,去年該公司為了卡位先進制程,拉高資本支出至54億美元,比2010年大增一倍,資本支出規(guī)模更連續(xù)兩年領先二哥聯(lián)電。
這幾年晶圓代工廠為卡位先進制程,陷入大規(guī)模投資競賽,尤其28納米投資金額高,除了格羅方德去年倍增資本支出,臺積電去年調(diào)降后的資本支出73億美元,也是公司歷史新高,至于三星、英特爾去年資本支出分別為92億美元、90億美元,臺積電居全球第三大資本支出半導體廠。
市調(diào)機構顧能研究總監(jiān)王端曾指出,各大晶圓代工廠角逐28納米制程的結果,將使晶圓代工產(chǎn)能利用率面臨過渡階段的尷尬期,他擔心今年全球12寸晶圓產(chǎn)能過剩。
格羅方德每年1月初會公布年度資本支出,隨著景氣轉緩,格羅方德今年大降資本支出,半導體界認為可望紓解市場對產(chǎn)能供過于求的疑慮。
臺積電18日將在法說會上公布今年資本支出,預估比去年的73億美元低一些,法人圈預估,臺積電2012年全年資本支出約60億至65億美元之間,降幅一成內(nèi),最樂觀者上看70 億美元。
英特爾今年資本支出也傳出降至50億美元,韓國可能是今年晶圓廠資本支出唯一持續(xù)成長的地區(qū),日前國際半導體設備暨材料協(xié)會(SEMI)表示,韓國部分最主要的貢獻者來自三星電子,預估三星今年資本支出103億美元,較去年成長11.9%。
市場解讀,格羅方德大降資本支出,有助緩和12寸投資產(chǎn)能過剩疑慮,先進制程價格壓力下降,加上景氣首季觸底可期,為臺積電(2330)、聯(lián)電帶來潛在利多。
格羅方德執(zhí)行官馬諾查(Ajit Manocha)參加美國消費者電子大展(CES),如上表示。外電引述他的話說,今年格羅方德將投入30億美元資本支出,加強紐約廠晶圓設備的建設,紐約廠以40、28納米以下先進制程為主。
格羅方德是全球第三大晶圓代工制造商,被臺積電董事長張忠謀視為眼中的競爭對手之一,去年該公司為了卡位先進制程,拉高資本支出至54億美元,比2010年大增一倍,資本支出規(guī)模更連續(xù)兩年領先二哥聯(lián)電。
這幾年晶圓代工廠為卡位先進制程,陷入大規(guī)模投資競賽,尤其28納米投資金額高,除了格羅方德去年倍增資本支出,臺積電去年調(diào)降后的資本支出73億美元,也是公司歷史新高,至于三星、英特爾去年資本支出分別為92億美元、90億美元,臺積電居全球第三大資本支出半導體廠。
市調(diào)機構顧能研究總監(jiān)王端曾指出,各大晶圓代工廠角逐28納米制程的結果,將使晶圓代工產(chǎn)能利用率面臨過渡階段的尷尬期,他擔心今年全球12寸晶圓產(chǎn)能過剩。
格羅方德每年1月初會公布年度資本支出,隨著景氣轉緩,格羅方德今年大降資本支出,半導體界認為可望紓解市場對產(chǎn)能供過于求的疑慮。
臺積電18日將在法說會上公布今年資本支出,預估比去年的73億美元低一些,法人圈預估,臺積電2012年全年資本支出約60億至65億美元之間,降幅一成內(nèi),最樂觀者上看70 億美元。
英特爾今年資本支出也傳出降至50億美元,韓國可能是今年晶圓廠資本支出唯一持續(xù)成長的地區(qū),日前國際半導體設備暨材料協(xié)會(SEMI)表示,韓國部分最主要的貢獻者來自三星電子,預估三星今年資本支出103億美元,較去年成長11.9%。





