采用TSV的“3D-IC”實例
除了半導體的前工序外，臺積電今后還將致力于后工序（封裝工序）。

負責半導體前工序（晶圓處理工序）的代工企業(yè)，已開始涉足后工序（封裝工序）。最明顯的例子就是代工巨頭臺灣臺積電（TSMC）的動向。該公司認為半導體芯片和封裝的技術整合今后將逐步推進，因此加快了硅轉接板和TSV（硅通孔）技術的開發(fā)進程。

據(jù)臺積電介紹，硅轉接板和TSV的實用化將分三大階段進行。第一階段是在采用TSV的硅轉接板上二維排列同類芯片的“2D同質”。2D同質已開始在大規(guī)模的FPGA上實用化，臺積電將從2012年開始量產(chǎn)。第二階段是在硅轉接板上排列異類芯片的“2D異質”。由于測試技術的難度較高，因此將在2013～2014年量產(chǎn)化。第三階段是采用TSV積層異類芯片的“3D-IC”。臺積電展示了試制3D-IC的X射線透射圖像。第三階段的技術難度最高，批量生產(chǎn)“最早將在2014年開始”（該公司）。

臺積電大力發(fā)展后工序技術的背景是，前工序的微細化越來越困難。該公司宣布將從2012年第三季度開始在業(yè)界率先提供20nm工藝制造技術。但是，20nm工藝需要通過兩次曝光進行微細加工的雙重圖形（Double Patterning）技術。由于成本高于原來的一次曝光方式，因此臺積電呼吁LSI設計人員盡可能減少采用最小尺寸的電路。

如上所述，微細化正在逐漸走向極限，因此臺積電認為作為不依賴微細化的高集成化技術，后工序中硅轉接板和TSV的重要性相對更高。硅轉接板和TSV在目前的成本還比較高，但具有將多枚芯片集成于一個封裝后，可降低部件物料（BOM，Bill of Materials）成本的優(yōu)點。（記者：木村 雅秀，《日經(jīng)電子》）