晶圓檢測設備廠漢民微測科技(漢微科：3658)看準晶圓制程微縮趨勢，傳統(tǒng)光學檢測上將遭遇到物理極限，率先開發(fā)電子束(E-Beam)檢測技術，自2003年正式成立以來歷經6年虧損，在去(2010)年順利由虧轉盈；除出貨給臺積電(2330)、Samsung等晶圓大廠之外，漢微科更在今年敲入美商Micron的檢測設備供應鏈，法人估漢微科今年全年EPS將有機會超過13元水準。
漢微科成立于2003年，看準晶圓制程縮微趨勢方興未艾，傳統(tǒng)的光學(可見光與不可見光)檢測設備將不敷制程持續(xù)縮微化的晶圓廠所需，因此從成立以來即鎖定電子束檢測技術持續(xù)開發(fā)，在2004年透過并購美商Hermes Micronvision Inc.取得核心技術，并在同年開發(fā)、售出第一臺自制的電子束檢測設備，打破過去由美、日大廠壟斷的電子束檢測設備市場。
隨著晶圓廠大力推動將制程縮微到45奈米以下的階段，傳統(tǒng)檢測設備所采用的可見光、紫外光(UV)、深紫外光(DUV)技術，受限于物理限制，將無法因應晶圓內部孔隙缺陷(via defect)檢測所需，因此精度更高的電子束檢測技術，就成為下一個世代的晶圓檢測設備技術趨勢所在。
電子束檢測技術，乃是透過電子束激發(fā)晶圓表面電子，并以電子偵測器搜集資訊、制作晶圓表面微觀影像后進行比對，判斷晶圓是否在制造過程中有產生缺陷。對于目前晶圓廠紛紛將制程轉移至45奈米的趨勢，電子束檢測技術將可確保在高精密度的晶圓制程中，產品良率仍能獲得保證。
漢微科從2004年推出第一臺電子束檢測設備以來，已經取得71項有關檢測原理、制程、演算法的專利。其中，由于演算法直接決定了電子束檢測機臺的掃描敏感度與效率，漢微科的演算法專利，亦確保了其較同業(yè)產品更佳的運作效能。
漢微科的電子束晶圓檢測設備所采用的電子槍、電子模組、供電設備等重要零組件，均是自行研發(fā)、生產。在半導體制程持續(xù)縮微至40奈米，甚至2012年28奈米就可望成為制程主流的趨勢之下，全球晶圓廠對于電子束檢測設備的需求，一年將以增加60臺的速度穩(wěn)健成長，漢微科亦將以其領先業(yè)界的技術，持續(xù)成長。
漢微科成立以來，因機臺開發(fā)、推動行銷的發(fā)酵速度較慢，到2010年上半年為止都仍陷于虧損，不過2010年下半年在臺積電、Samsung等大客戶展開擴廠動作支撐，漢微科在2010年下半年獲利高達6.54億元、半年EPS高達15.52元，順利推升全年獲利轉虧為盈，去年全年獲利為2.51億元，EPS為5.69元。
而今年上半年，漢微科營收為11.04億元，較2010年同期的6383萬元暴增16倍，毛利率66.7%，營益率27.5%；稅前盈余2.85億元，稅后盈余2.61億元，EPS為4.35元。由于漢微科也已順利打入美商Micron、韓商Hynix的設備供應鏈，客戶結構涵蓋全球半導體大廠，隨著下半年機臺集中出貨、認列營收，法人看好漢微科下半年獲利可較上半年翻倍，全年EPS可望超過13元。
漢微科的檢測設備技術目前已涵蓋90奈米、65奈米，及45奈米制程的檢測設備開發(fā)與量產，并開始朝32、22奈米以下制程的檢測機臺推進，而在客戶開發(fā)方面，2012年將鎖定IBM、Global Foundry等半導體大廠，估可分散客戶集中風險。