臺(tái)積電研發(fā)副總經(jīng)理林本堅(jiān)昨（6）日出席SEMICOM Taiwan展前記者會(huì)表示，臺(tái)積電28納米制程可望在第四季小量生產(chǎn)，預(yù)定明年初量產(chǎn)。業(yè)者估計(jì)，臺(tái)積電28納米進(jìn)度領(lǐng)先三星，直追英特爾。

臺(tái)積電的28納米制程一直是各界關(guān)注焦點(diǎn)，臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀曾透過(guò)這項(xiàng)制程，將是臺(tái)積電未來(lái)大啖智能型手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等關(guān)鍵零組件的主力。但上次法說(shuō)會(huì)時(shí)，張忠謀坦承因景氣成長(zhǎng)減緩，客戶轉(zhuǎn)入意愿保守，決定延至明年量產(chǎn)。

不過(guò)，林本堅(jiān)昨天透露，28納米制程可在第四季試產(chǎn)，明年第一季即可量產(chǎn)，情況似乎比先前更趨好轉(zhuǎn)。

消息人士透露，臺(tái)積電的主力客戶包括輝達(dá)（Nvidia）以及高通已率先導(dǎo)入臺(tái)積電28納米投片，但初期投片量還不大。

至于下一代的20納米制程，英特爾已經(jīng)跨入，臺(tái)積電也展開(kāi)布局。

林本堅(jiān)表示，臺(tái)積電原本打算在20納米制程時(shí)采用更先進(jìn)的紫外光微影（EUV）和多重電子光束（MEB），不過(guò)鑒于設(shè)備成本太昂貴，應(yīng)該會(huì)在14納米制程才會(huì)導(dǎo)入。