英特爾昨（5）日宣布晶體管演進(jìn)上的重大技術(shù)突破，即將在年底推出的22納米制程及Ivy Bridge處理器，將是世界首款內(nèi)含3D晶體管Tri-Gate的處理器芯片。英特爾表示，3D晶體管Tri-Gate將維持科技演進(jìn)的步伐，于未來(lái)繼續(xù)推動(dòng)摩爾定律，且效能提升與減少耗電的空前組合，造就許多層面的創(chuàng)新，讓未來(lái)22納米芯片能運(yùn)用在最小的手持裝置，及強(qiáng)大的云端服務(wù)器。

對(duì)于英特爾將于22納米跨入3D晶體管世代，臺(tái)積電還不考慮采用。臺(tái)積電研發(fā)資深副總經(jīng)理蔣尚義指出，臺(tái)積電自2003年以來(lái)就一直在研發(fā)3D晶體管，但現(xiàn)在相關(guān)技術(shù)的工具及設(shè)計(jì)都還不成熟，除非在20納米以下先進(jìn)制程，且2D晶體管的容量已經(jīng)達(dá)到極限，否則臺(tái)積電不會(huì)考慮采用3D晶體管技術(shù)。

英特爾表示，自從矽晶體管在50年前發(fā)明以來(lái)，首度采用3D立體結(jié)構(gòu)的晶體管即將邁入量產(chǎn)，英特爾于2002年首次公開(kāi)命名為T(mén)ri-Gate的革命性3D立體晶體管設(shè)計(jì)，將應(yīng)用在22納米制程芯片當(dāng)中，今年底推出的Ivy Bridge次世代處理器將首度采用3D晶體管Tri-Gate且即將邁入量產(chǎn)。

科學(xué)家們很早便認(rèn)同3D立體晶體管結(jié)構(gòu)能延續(xù)摩爾定律的準(zhǔn)確性，因?yàn)楫?dāng)電路尺寸微縮到一定程度時(shí)，物理定律就變成微型化的障礙。英特爾發(fā)表的突破性成果，在于英特爾有能力使創(chuàng)新的3D、Tri-Gate晶體管設(shè)計(jì)進(jìn)入量產(chǎn)，使得摩爾定律能延續(xù)創(chuàng)新的歷史步調(diào)。

根據(jù)英特爾的測(cè)試，3D晶體管能夠在更低的電壓下運(yùn)行，對(duì)省電效率及效能提升很有幫助，如22納米的3D晶體管在低電壓模式，其效能較英特爾的32納米平面晶體管高出37％。相較于內(nèi)含2D平面晶體管的32納米芯片，新型晶體管在維持相同效能時(shí)耗電量縮減近50％。