日前，設(shè)計(jì)與制造高性能射頻系統(tǒng)與解決方案的RF Micro Devices(RFMD)宣布推出專有微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)——面向 RF及其他應(yīng)用的技術(shù)。RFMD期望其專有的MEMS技術(shù)將在RF及其他應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)突破性的性能及空前水平的功能整合。RFMD是開發(fā)面向低成本整合RF應(yīng)用的MEMS技術(shù)的先驅(qū)者，公司自2004年起便已開始積極進(jìn)行MEMS技術(shù)的商業(yè)化。RFMD期望其專有的MEMS技術(shù)將在RF及其他應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)突破性的性能及空前水平的功能整合。

RFMD推出的第一批RF MEMS器件將是面向3G多模手機(jī)的RF MEMS發(fā)送接收開關(guān)及RF MEMS模式開關(guān)。通過極大減小產(chǎn)品占位面積并提高效率，從而延長(zhǎng)手機(jī)通話時(shí)間，RFMD的MEMS 開關(guān)技術(shù)將有助于加速3G部署。當(dāng)與面向前端解決方案(GaAs、SOI及硅)的RFMD業(yè)界領(lǐng)先工藝技術(shù)相結(jié)合時(shí)，RFMD的RF MEMS開關(guān)技術(shù)將樹立低成本、小尺寸及超高性能前端的新標(biāo)準(zhǔn)。

RFMD的MEMS開關(guān)還將在功率放大器 (PA) 的輸出電路中使用，以創(chuàng)建可調(diào)諧的PA，公司預(yù)計(jì)這將實(shí)現(xiàn)真正自適應(yīng)的收發(fā)器解決方案。

RFMD研發(fā)副總裁Victor Steel指出：“RFMD專有MEMS技術(shù)的商業(yè)化以及我們200mm MEMS研發(fā)制造廠的建設(shè)強(qiáng)調(diào)了 RFMD不斷致力于通過一流的創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品領(lǐng)先地位。RFMD是唯一能夠?qū)⒒旌闲盘?hào)CMOS、功率管理、功率放大器、RF開關(guān)及RF MEMS結(jié)合在低成本晶圓級(jí)封裝的單片解決方案中的公司。隨著我們業(yè)界領(lǐng)先MEMS功能的商業(yè)化，我們將能夠進(jìn)一步提供可預(yù)計(jì)并超出我們客戶日益增長(zhǎng)的RF需求的高整合度RF解決方案。”

加州大學(xué)圣地亞哥分校教授Gabriel M. Rebeiz強(qiáng)調(diào)：“現(xiàn)有RF MEMS開關(guān)技術(shù)基于小制造批次及晶圓到晶圓封裝技術(shù)，這最終會(huì)增加器件成本。RFMD方法及其硅片上的高整合度針鋒相對(duì)地解決了這一問題，并最終將提高產(chǎn)量及性能以及極大降低成本。”

RFMD的RF MEMS開關(guān)為高功率歐姆接觸式MEMS開關(guān)，它們是RF CMOS SOI晶圓上后處理的IC，密封在晶圓級(jí)封裝 (WLP) 電介質(zhì)圓頂中。使RF MEMS開關(guān)運(yùn)行所需的所有必要電路均被集成到了基本CMOS中，包括可靠接通功率 MEMS開關(guān)所需的大電壓及控制信號(hào)的產(chǎn)生。RF MEMS開關(guān)完全支持 RFMD 苛刻的蜂窩RF功率模塊要求，包括低插損及高隔離(典型0.2dB35dB @ 1.9GHz)以及高諧波抑制(典型90dBc)，同時(shí)還符合嚴(yán)格的可靠性及設(shè)計(jì)與生產(chǎn)成本要求。

除 RF MEMS 開關(guān)外，RFMD 還正在積極推動(dòng)其他MEMS 器件的商業(yè)化，例如RF MEMS濾波器、RF MEMS共鳴器(晶體替代器件)及 MEMS傳感器。公司期望其MEMS技術(shù)連同其在高性能射頻系統(tǒng)中的現(xiàn)有核心能力將最終實(shí)現(xiàn)能夠適應(yīng)任何無(wú)線協(xié)議–蜂窩或非蜂窩–的單片前端及軟件定義無(wú)線電。

RFMD 將構(gòu)建200mm研發(fā)晶圓制造廠以支持其不斷的MEMS開發(fā)。該MEMS研發(fā)制造廠將與RFMD GaN 研發(fā)機(jī)構(gòu)共同位于北卡羅萊納Mooresville的新工廠中。