這幾年，Intel新工藝的前進步伐明顯慢了下來，三星、臺積電則是一路狂飆，而且完全不按套路出牌，節(jié)點命名相當(dāng)隨意，16nm優(yōu)化一下就叫12nm，甚至10/9/8/7/6/5nm一口氣都推上去。

Intel這版雖然走的不快，但如此混淆視聽也實在看不下去了，畢竟更顯得自己不思進取嘛。在今天的精尖制造日上，Intel就對比了自家和臺積電、三星的10nm工藝，力圖證明自己才是真正的10nm，技術(shù)上更先進。

面對未來，Intel其實也準(zhǔn)備了很多好牌，10nm產(chǎn)品發(fā)布在即，7nm基本準(zhǔn)備就緒，5nm、3nm也都在規(guī)劃之中。

從Intel給出的路線圖看，5nm、3nm還處于前沿研究階段，具體如何實現(xiàn)尚未定型，量產(chǎn)更不知何年何月，但無論如何，這意味著Intel對于硅半導(dǎo)體技術(shù)的追求將堅定地走下去。

而為了達成5nm、3nm，Intel也在做很多技術(shù)上的前沿研究，包括：

- 納米線晶體管：被認為是未來技術(shù)的一種選擇，因為納米線的結(jié)構(gòu)可提供改進通道靜電，從而進一步實現(xiàn)晶體管柵極長度的微縮。

- III-V材料：硅是MOSFET通道中經(jīng)常使用的材料，但是III-V材料(如砷化鎵和磷化銦)改進了載流子遷移率，從而提供更高的性能或者能夠在更低的電壓和更低的有功功耗下運行晶體管。

- 3D堆疊：硅晶片的3D堆疊有機會實現(xiàn)系統(tǒng)集成，以便把不同的技術(shù)混裝到一個很小的地方。

- 密集內(nèi)存：多種不同的高密度內(nèi)存選擇，其中包括易失性和非易失性存儲技術(shù)，正在探索和開發(fā)中。

- 密集互聯(lián)：對于精尖制程工藝來說，微縮互聯(lián)和微縮晶體管一樣重要。新的材料和圖案成形技術(shù)正在探索中，以支持高密度互聯(lián)。

- 極紫外光刻(EUV)：采用13.5納米波長。由于當(dāng)今的193納米波長工具已達到其微縮極限，該技術(shù)正在研發(fā)中以實現(xiàn)進一步的微縮。

- 自旋電子學(xué)：一種超越CMOS的技術(shù)，當(dāng)CMOS無法再進行微縮的時候，這是一種選擇，可提供非常密集和低功耗的電路。

- 神經(jīng)元計算：一種不同的處理器設(shè)計和架構(gòu)，能夠以比當(dāng)前計算機高得多的能效執(zhí)行某些計算功能。

至于摩爾定律的極限到底在哪里，誰也不知道。

有趣的是，臺積電整整一年前就公布了自己的5nm、3nm規(guī)劃，并稱已有三四百人的團隊在攻關(guān)3nm，但沒有透露任何詳細情況。