除了英特爾有些難產(chǎn)之外，臺積電、三星早就量產(chǎn)了10nm工藝，目前正在爭奪7nm工藝制高點，再加上Globalfoundries，這四強代表了半導體制造工藝的巔峰。

最近幾天臺積電在南京建設(shè)的晶圓廠已經(jīng)開始出貨，使用的是16nm工藝，這是國內(nèi)技術(shù)水平最高的工藝，不過能代表大陸自主技術(shù)水平的還是中芯國際、華虹半導體的28nm工藝。

來自中芯國際的消息稱，國產(chǎn)14nm工藝預(yù)計在2019年上半年量產(chǎn)，同時中芯國際力爭用10年時間進入第一梯隊。

北京日報日前報道了中芯國際，提到了中芯國際在晶圓廠、半導體裝備、制造工藝等方面的一些進展。以半導體制造裝備為例，中國新建的晶圓廠絕大多數(shù)裝備都是進口的，10塊錢的裝備有9.8元都進入了國外廠商的口袋。

除了大家經(jīng)常聽到的光刻機之外，還有離子蝕刻機、離子注入機、光學拋光機、快速退火設(shè)備等等，在這方面中芯國際也積極支持國產(chǎn)裝備，過去七年中國產(chǎn)半導體裝備的占有率從1%提高到了15%。

與此同時，中芯國際還在不斷縮小與國外先進工藝的差距，按照原文的說法，中國集成電路先進制造工藝已經(jīng)從之前落后國際4到5代縮小到了1-2代的差距，中芯國際的14nm工藝預(yù)計會在2019年上半年量產(chǎn)。

對于國產(chǎn)14nm工藝，這是2015年比利時國王訪華時中比雙方簽訂的一系列合作之一，比利時有全球著名的IMEC比利時微電子中心，在先進半導體工藝上具備豐富的經(jīng)驗，當時中芯國際、華為以及高通聯(lián)合IMCE簽署了合作協(xié)議，研發(fā)14nm FinFET制造工藝，預(yù)定目標是2020年之前量產(chǎn)，現(xiàn)在來看進度還是OK的。

不過協(xié)議簽署時國內(nèi)還沒有28nm以下的先進工藝，此后臺積電宣布在南京建設(shè)16nm工藝晶圓廠，2016年正式動工，原本預(yù)計今年下半年量產(chǎn)，不過工程進展很快，上半年就已經(jīng)正式量產(chǎn)了，所以中芯國際的14nm在國內(nèi)市場也會遭遇臺積電的強力競爭，而且后者在量產(chǎn)時間、工藝成熟度上顯然更有優(yōu)勢。

盡管如此，在14nm量產(chǎn)之后，中國半導體工藝與世界先進水平的差距確實大大縮小了，28nm、14nm以及未來的7nm都是高性能節(jié)點，會長期存在，所以只要能量產(chǎn)出來，對發(fā)展國產(chǎn)高性能芯片都是有益的。

中芯國際CEO周子學此前在一次內(nèi)部會議上表示中芯國際將用10年時間爭取進入世界第一梯隊。