致力于CMOS前沿工藝及其它硅基集成電路相關(guān)技術(shù)研究——中國科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心，將在IIC China 2013上展示多項集成工藝方案，包括：0.5 mm CMOS 集成工藝方案、22 nm CMOS HKMG集成工藝方案、MEMs器件集成工藝方案、特種分立器件的工藝方案等。

特色單項工藝有：

1）電子束：亞28nm線條光刻&刻蝕技術(shù)；
2）原子層淀積：HfO2、TiN、TaN、Al2O3、SiO2等薄膜材料；
3）外延生長：純Ge，不同組分SiGe外延；
4）超低能離子注入：注入能量0.2keV-60keV，劑量及傾斜角度可調(diào)；
5）化學(xué)機械平坦化：SiO2、Si3N4、poly、W；6）低應(yīng)力氮化硅。

“在CMOS小型化技術(shù)的相關(guān)領(lǐng)域，國際先進的生產(chǎn)技術(shù)將進入16納米技術(shù)代，代工企業(yè)的量產(chǎn)技術(shù)也會進入22納米技術(shù)代。在所謂的More Than Moore領(lǐng)域，以功率器件為代表的分立器件，如VDMOS，PIN二極管，IGBT，HEMTs等的市場需求越來越大，正在形成一個新的增長點。一些新的應(yīng)用和電路或器件設(shè)計不斷出現(xiàn)，帶來很多研發(fā)工作。這些新應(yīng)用的單個市場體量不大，但種類繁雜，需要有相應(yīng)的產(chǎn)業(yè)化研發(fā)機構(gòu)來完成。而集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心的定位就是滿足此類需求，推動國內(nèi)IC領(lǐng)域中小企業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新?！毖邪l(fā)中心的趙超主任在接受采訪時談道。

中國科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心圍繞集成電路先導(dǎo)工藝技術(shù)研究，致力于CMOS前沿工藝及其它硅基集成電路相關(guān)技術(shù)研究。研發(fā)中心除承擔(dān)國家科研項目外，另一重要目標(biāo)是為國內(nèi)客戶提供IC工藝模塊的技術(shù)服務(wù)，包括電路和器件的全工藝流程開發(fā)，模塊級或單步工藝的研發(fā)，極小批量的高附加值產(chǎn)品生產(chǎn)等，以滿足工業(yè)界急需的生產(chǎn)技術(shù)開發(fā)以及小批量產(chǎn)品研發(fā)需求。

除中科院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心外，IIC China 2013 現(xiàn)場將匯集眾多優(yōu)質(zhì)技術(shù)廠商，于今年2月28日，3月1-2日在深圳會展中心舉行，歡迎廣大工程師朋友們蒞臨參觀、學(xué)習(xí)和交流。