聯(lián)發(fā)科積極布局中國大陸TD-LTE已久，長期以來一直配合中國移動與工信部進行TD-LTE終端測試。面對全球發(fā)展4G的趨勢，聯(lián)發(fā)科如今正專注于研發(fā)雙通模式與可攜式HotSpot裝置。今日(25)聯(lián)發(fā)科參與4GInternationalSummit表示：「全球LTE市場發(fā)展很快，可望是手機晶片下一個發(fā)展重心，預計明年下半年推出中國規(guī)格TD-LTE、FDD-LTE的4G智慧型手機晶片?！?BR>
聯(lián)發(fā)科認為：「LTE真的越來越重要了！」從明年開始，LTE在通訊產業(yè)的發(fā)展上，是很重要的調配。目前全球主要LTE頻段已經有超過10個以上，以LTE發(fā)展來說，美國跑得最快，尤其是Verizon為領頭羊，其次是AT&T；而亞洲部分，則以日本NTTDOCOMO、韓國為先。

因此，從各國發(fā)展4G經驗案例來看，聯(lián)發(fā)科將會藉由2G、3G的經驗，去延伸發(fā)展4G，并且讓4G的手機晶片能夠向下相容，因此，2G、3G將會是聯(lián)發(fā)科往4G發(fā)展的重要基礎。不過，聯(lián)發(fā)科在積極發(fā)展4G市場之際，并不會放棄經營2G智慧手機。

據(jù)了解，聯(lián)發(fā)科正在想盡辦法通過雙通手機以及可攜式HotSpot裝置的測試，針對4G智慧手機的研發(fā)，聯(lián)發(fā)科HanTan表示：「此時此刻，聯(lián)發(fā)科將會專注于研發(fā)『在雙通模式下，能夠減少功耗』的晶片解決方案?！顾忉?，以往雙通手機，功耗一直是很大的問題，因此如何將功耗降低，是發(fā)展4G智慧手機晶片的關鍵。

然而，不只是功耗問題，HanTan說明，其實發(fā)展4GLTE手機所遇到的挑戰(zhàn)與課題，有以下五項：一，為了發(fā)展4G，又必須往下相容2G、3G的情況下，晶片必須支持眾多連接埠，導致整個Layout難以設計。二、頻譜干擾、多頻相容的問題。三、天線設計以及電路板布局困難。四、終端功耗過大。五、測試認證成本花費相當高。他說，相信只要能夠盡快克服這些挑戰(zhàn)，聯(lián)發(fā)科面對4G產業(yè)競爭，將會有很好的優(yōu)勢。