聯(lián)電6日宣布與意法半導(dǎo)體合作65nm CMOS影像感測(cè)器背面照度BSI技術(shù)。事實(shí)上，雙方先前已順利于聯(lián)電新加坡Fab 12i廠產(chǎn)出意法半導(dǎo)體的前面照度式FSI制程，奠基于之前的成功經(jīng)驗(yàn)，此次合作將更進(jìn)一步擴(kuò)展兩家公司的伙伴關(guān)系。此1.1um像素間距的BSI制程，將于聯(lián)電新加坡Fab 12i廠展開(kāi)研發(fā)，并將以開(kāi)放式平臺(tái)模式供客戶采用，以協(xié)助客戶迎接高解析度與高畫(huà)質(zhì)(千萬(wàn)像素以上)尖端智慧手機(jī)世代的來(lái)臨。

聯(lián)電負(fù)責(zé)12寸晶圓廠營(yíng)運(yùn)的顏博文資深副總表示，很高興與意法半導(dǎo)體攜手研發(fā)此次的專(zhuān)案。此次協(xié)議貫徹了聯(lián)電開(kāi)放式平臺(tái)的合作策略，以提供客戶導(dǎo)向晶圓專(zhuān)工解決方案，來(lái)因應(yīng)日益攀升的市場(chǎng)需求。而聯(lián)電也期待借著增加此CIS BSI制程，在未來(lái)更進(jìn)一步地強(qiáng)化全方位的技術(shù)組合。

聯(lián)電強(qiáng)調(diào)，該公司于CIS領(lǐng)域的優(yōu)異實(shí)力，包含現(xiàn)有的8寸與12寸CIS制造解決方案。此次新開(kāi)發(fā)的65奈米CIS技術(shù)，將具有BSI制程足以因應(yīng)長(zhǎng)期需求的優(yōu)勢(shì)，除了可用于現(xiàn)今應(yīng)用產(chǎn)品之外，預(yù)期未來(lái)也可應(yīng)用于車(chē)用電子與工業(yè)領(lǐng)域。而65奈米BSI制程系針對(duì)快速興起的應(yīng)用產(chǎn)品所推出，諸如智慧手機(jī)、平板電腦、高階監(jiān)視器、以及消費(fèi)型數(shù)位相機(jī) /數(shù)位單眼相機(jī)等，都將可在取得意法半導(dǎo)體的授權(quán)后采用。

意法半導(dǎo)體負(fù)責(zé)影像、Bi-CMOS、ASIC及矽光子事業(yè)群的副總裁Eric Aussedat則表示，過(guò)去意法在影像技術(shù)上與聯(lián)電合作的輝煌成績(jī)，讓公司對(duì)這次和聯(lián)電攜手研發(fā)次世代影像感測(cè)制程有極大的信心，而雙方的合作也將讓意法得以藉由尖端的BSI制程，支援所有公司將拓展的應(yīng)用產(chǎn)品與市場(chǎng)。