2012年DRAM供給增長(zhǎng)遠(yuǎn)小于2011年
[導(dǎo)讀]DIGITIMES報(bào)告稱，從2011年DRAM報(bào)價(jià)表現(xiàn)觀察，延續(xù)2010年下半以來(lái)供過(guò)于求陰霾未減，讓DRAM報(bào)價(jià)表現(xiàn)始終處于易跌難漲態(tài)勢(shì)，加上導(dǎo)因于歐債問(wèn)題延宕未決，歐盟亦未能提出具體有效解決方案，造成全球景氣能見(jiàn)度大幅下降
DIGITIMES報(bào)告稱，從2011年DRAM報(bào)價(jià)表現(xiàn)觀察，延續(xù)2010年下半以來(lái)供過(guò)于求陰霾未減，讓DRAM報(bào)價(jià)表現(xiàn)始終處于易跌難漲態(tài)勢(shì)，加上導(dǎo)因于歐債問(wèn)題延宕未決，歐盟亦未能提出具體有效解決方案，造成全球景氣能見(jiàn)度大幅下降，亦讓來(lái)自PC市場(chǎng)對(duì)DRAM需求頓時(shí)減弱，加大DRAM報(bào)價(jià)持續(xù)下修壓力。
從供給面觀察，雖包括爾必達(dá)(Elpida)、南亞科技(Nanya)等存儲(chǔ)器制造商于2011年下半相繼減產(chǎn)，力晶(PSC)更是以降低來(lái)自DRAM業(yè)務(wù)營(yíng)收為策略目標(biāo)，并朝向晶圓代工與中低階快閃存儲(chǔ)器制造等業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型，就連存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)龍頭三星電子(Samsung Eletronics)也將原本用于生產(chǎn)存儲(chǔ)器產(chǎn)能Line 14、Line 9、Line 8等產(chǎn)能轉(zhuǎn)到晶圓代工業(yè)務(wù)。
然而，三星于2010年5月開(kāi)始興建月產(chǎn)能20萬(wàn)片12寸晶圓、用于生產(chǎn)DRAM與NAND Flash等存儲(chǔ)器產(chǎn)品的Line 16已于2011年9月正式投產(chǎn)，加上各DRAM廠商為提升成本競(jìng)爭(zhēng)力，亦持續(xù)提高先進(jìn)制程比重，這也造成全球DRAM產(chǎn)業(yè)雖有產(chǎn)能陸續(xù)退出與轉(zhuǎn)型，但來(lái)自三星Line 16新增產(chǎn)能與各DRAM廠商制程升級(jí)所增加產(chǎn)能，仍讓DRAM市場(chǎng)供給量緩步增加。在需求成長(zhǎng)力道減弱的情況下，亦讓自2010年下半以來(lái)全球DRAM市場(chǎng)供過(guò)于求狀況始終未見(jiàn)改善。
以2011年主流規(guī)格DRAM產(chǎn)品1333MHz 2Gb DDR3報(bào)價(jià)為例，現(xiàn)貨價(jià)于2011年2月見(jiàn)到2.26美元后便一路下跌，期間雖歷經(jīng)日本311地震，DRAM市場(chǎng)亦曾出現(xiàn)上游原料矽晶圓缺料疑慮，但2Gb DDR3現(xiàn)貨價(jià)僅從1.99美元反彈至2.15美元，在歷經(jīng)2個(gè)營(yíng)業(yè)日短暫反彈后重回下跌態(tài)勢(shì)，至2011年11月下旬，2Gb DDR3現(xiàn)貨價(jià)僅剩下0.71美元，與2.26美元高點(diǎn)相較，最大跌幅高達(dá)近7成。
而自2011年11月下旬，在爾必達(dá)與南亞科技減產(chǎn)效應(yīng)發(fā)酵，讓DRAM現(xiàn)貨價(jià)跌勢(shì)趨緩，甚至還出現(xiàn)小幅度的拉升，然而，在來(lái)自PC應(yīng)用需求持續(xù)疲的預(yù)期下，預(yù)期標(biāo)準(zhǔn)型DRAM合約價(jià)與現(xiàn)貨價(jià)仍有向下修正的空間。
展望2012年，在歐債問(wèn)題懸而未決、全球景氣充滿不確定性的情況下，預(yù)期DRAM價(jià)格表現(xiàn)仍將相對(duì)保守，各DRAM廠除面對(duì)虧損擴(kuò)大的風(fēng)險(xiǎn)外，保有現(xiàn)金部位將是當(dāng)務(wù)之急，這也使得除三星外的主要DRAM廠在產(chǎn)能擴(kuò)充的腳步都顯得相當(dāng)保守。
另一方面，亦導(dǎo)因于DRAM價(jià)格持續(xù)下跌，各DRAM廠商無(wú)不以提升成本競(jìng)爭(zhēng)力為首要策略，包括美光、南亞科技、華亞科、爾必達(dá)等DRAM大廠皆紛紛往以30納米為主次世代先進(jìn)制程升級(jí)，易言之，2012年全球DRAM供給量的增加主因來(lái)自于先進(jìn)制程升級(jí)所增加產(chǎn)能，新增產(chǎn)線擴(kuò)充則相當(dāng)有限，這也將使得2012年DRAM供給量成長(zhǎng)力道遠(yuǎn)低于2011年，亦將有機(jī)會(huì)讓于2010年下半以來(lái)全球DRAM市場(chǎng)供過(guò)于求的狀況獲得改善。
2011年以來(lái) 2Gb DDR3現(xiàn)貨價(jià)與合約價(jià)變化
資料來(lái)源：DIGITIMES，2011/12
從供給面觀察，雖包括爾必達(dá)(Elpida)、南亞科技(Nanya)等存儲(chǔ)器制造商于2011年下半相繼減產(chǎn)，力晶(PSC)更是以降低來(lái)自DRAM業(yè)務(wù)營(yíng)收為策略目標(biāo)，并朝向晶圓代工與中低階快閃存儲(chǔ)器制造等業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)型，就連存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)龍頭三星電子(Samsung Eletronics)也將原本用于生產(chǎn)存儲(chǔ)器產(chǎn)能Line 14、Line 9、Line 8等產(chǎn)能轉(zhuǎn)到晶圓代工業(yè)務(wù)。
然而，三星于2010年5月開(kāi)始興建月產(chǎn)能20萬(wàn)片12寸晶圓、用于生產(chǎn)DRAM與NAND Flash等存儲(chǔ)器產(chǎn)品的Line 16已于2011年9月正式投產(chǎn)，加上各DRAM廠商為提升成本競(jìng)爭(zhēng)力，亦持續(xù)提高先進(jìn)制程比重，這也造成全球DRAM產(chǎn)業(yè)雖有產(chǎn)能陸續(xù)退出與轉(zhuǎn)型，但來(lái)自三星Line 16新增產(chǎn)能與各DRAM廠商制程升級(jí)所增加產(chǎn)能，仍讓DRAM市場(chǎng)供給量緩步增加。在需求成長(zhǎng)力道減弱的情況下，亦讓自2010年下半以來(lái)全球DRAM市場(chǎng)供過(guò)于求狀況始終未見(jiàn)改善。
以2011年主流規(guī)格DRAM產(chǎn)品1333MHz 2Gb DDR3報(bào)價(jià)為例，現(xiàn)貨價(jià)于2011年2月見(jiàn)到2.26美元后便一路下跌，期間雖歷經(jīng)日本311地震，DRAM市場(chǎng)亦曾出現(xiàn)上游原料矽晶圓缺料疑慮，但2Gb DDR3現(xiàn)貨價(jià)僅從1.99美元反彈至2.15美元，在歷經(jīng)2個(gè)營(yíng)業(yè)日短暫反彈后重回下跌態(tài)勢(shì)，至2011年11月下旬，2Gb DDR3現(xiàn)貨價(jià)僅剩下0.71美元，與2.26美元高點(diǎn)相較，最大跌幅高達(dá)近7成。
而自2011年11月下旬，在爾必達(dá)與南亞科技減產(chǎn)效應(yīng)發(fā)酵，讓DRAM現(xiàn)貨價(jià)跌勢(shì)趨緩，甚至還出現(xiàn)小幅度的拉升，然而，在來(lái)自PC應(yīng)用需求持續(xù)疲的預(yù)期下，預(yù)期標(biāo)準(zhǔn)型DRAM合約價(jià)與現(xiàn)貨價(jià)仍有向下修正的空間。
展望2012年，在歐債問(wèn)題懸而未決、全球景氣充滿不確定性的情況下，預(yù)期DRAM價(jià)格表現(xiàn)仍將相對(duì)保守，各DRAM廠除面對(duì)虧損擴(kuò)大的風(fēng)險(xiǎn)外，保有現(xiàn)金部位將是當(dāng)務(wù)之急，這也使得除三星外的主要DRAM廠在產(chǎn)能擴(kuò)充的腳步都顯得相當(dāng)保守。
另一方面，亦導(dǎo)因于DRAM價(jià)格持續(xù)下跌，各DRAM廠商無(wú)不以提升成本競(jìng)爭(zhēng)力為首要策略，包括美光、南亞科技、華亞科、爾必達(dá)等DRAM大廠皆紛紛往以30納米為主次世代先進(jìn)制程升級(jí)，易言之，2012年全球DRAM供給量的增加主因來(lái)自于先進(jìn)制程升級(jí)所增加產(chǎn)能，新增產(chǎn)線擴(kuò)充則相當(dāng)有限，這也將使得2012年DRAM供給量成長(zhǎng)力道遠(yuǎn)低于2011年，亦將有機(jī)會(huì)讓于2010年下半以來(lái)全球DRAM市場(chǎng)供過(guò)于求的狀況獲得改善。
2011年以來(lái) 2Gb DDR3現(xiàn)貨價(jià)與合約價(jià)變化
資料來(lái)源：DIGITIMES，2011/12
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