晶片微小化要幾奈米才夠看?英特爾今年量產(chǎn)22奈米元件，臺積電三年內(nèi)轉(zhuǎn)進(jìn)14奈米世代，而國研院國家奈米元件實驗室于今(6)日更發(fā)表，導(dǎo)入銀、鍺兩種新元件材料，內(nèi)建矽基太陽能電池元件，做為未來綠能的10奈米元件世代的重要技術(shù)選項，引發(fā)國際轟動。

英特爾已發(fā)表22奈米元件并在今年進(jìn)入量產(chǎn)，領(lǐng)先各公司約一個世代，臺積電也將在稍后跟進(jìn)，未來兩三年內(nèi)亦將陸續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)14奈米世代。相較于矽，純鍺材料的電晶體運(yùn)行速度可提升2至4倍，國研院新發(fā)表的三角型鍺鰭式電晶體技術(shù)，成功克服了矽基材上的鍺通道，會有許多缺陷的問題，因此可實現(xiàn)高速的10奈米電晶體元件。

「銀金屬直立導(dǎo)線技術(shù)」則以創(chuàng)意，研發(fā)出利用底部成長(bottom-up)方式、突破傳統(tǒng)鎢金屬栓塞結(jié)構(gòu)，在尺寸微縮時的制程瓶頸。國研院在美國華盛頓舉行的電子元件領(lǐng)域里最重要的國際會議IEDM中，發(fā)表4篇相關(guān)論文，包括導(dǎo)入銀、鍺兩種新元件材料、并將被動的元件節(jié)能科技提升為主動的自供電力線路模組的內(nèi)建矽基太陽能電池元件。

其中鍺電晶體和矽基太陽能自供電力線路模組，均被大會選為重點(diǎn)宣傳論文，引起國際微電子產(chǎn)學(xué)研界的高度重視，將是未來10奈米元件世代的重要技術(shù)選項。

國研院解釋說，因為銀是目前電阻值最低的金屬(銀的電阻率僅約鎢30%)，以此技術(shù)，將可符合10奈米世代的金屬導(dǎo)線制程需求。

不過新機(jī)臺和新材料，將會是未來10奈米元件世代，最難克服的兩大關(guān)鍵，國研院強(qiáng)調(diào)，高階整合性機(jī)臺，例如微影設(shè)備(EUV)單價，就高達(dá)30億臺幣，機(jī)臺技術(shù)門檻甚高，而且需有大型實驗室做先期產(chǎn)品的測試，才能進(jìn)入此千億產(chǎn)值的材料市場，導(dǎo)入銀、鍺兩種新元件材料，內(nèi)建矽基太陽能電池元件，國研院表示，可做為未來綠能的10奈米元件世代的重要技術(shù)選項。