根據(jù)調(diào)研機構(gòu) IHS iSuppli，今年應(yīng)用在智能型手機上的 DRAM 芯片出貨量將有驚人的 3 位數(shù)成長，超過整體 DRAM市場的成長幅度。

以 1GB 等量單位估算，用在智能型手機的 DRAM 出貨量今年預(yù)計上升至 17 億個單位，較去年 6.72 億個單位成長157.2%。到 2015 年之前，出貨量將上升至 139 億個單位，較今年成長 700%。

IHS 記憶芯片需求預(yù)測部門的分析師 Clifford Leimbach 表示：「智能型手機內(nèi)使用的 DRAM正快速上升，系因這些是高記億密度的芯片，且設(shè)備銷售量也不斷上升所致?！?BR>
「今年 DRAM 在智能型手機的成長驚人，與此相較，整體 DRAM 市場 (主要為對PC事業(yè)的銷售量)的出貨量成長僅50%就失色許多。這兩者的成長差距解釋了 DRAM 廠商積極競爭手機 DRAM 市場的原因。雖然 DRAM芯片也用于平板計算機和計算機等設(shè)備，但智能型手機的 DRAM 市場仍會持續(xù)成長。」

整體 DRAM 使用量中，今年智能型手機的使用率將從去年的 4.4% 上升至 7.6%，明年提高至 10.6%，2013 年達13.4%，2014 年達 14.9%，下一年達 16.0%。

至少近來發(fā)行的 4 款智能型手機，經(jīng)由 IHS iSuppli 拆解內(nèi)部后，發(fā)現(xiàn)這些設(shè)備都搭載更大量的 DRAM 芯片。

Sony Ericsson 的 Xperia PLAY 搭載 512MB 的 DRAM 芯片，而三星電子的 GalaxyIndulge 搭載 576MB 的 DRAM 芯片，蘋果 iPhone 4 的 DRAM 芯片達 544MB，臺灣宏達電的Thunderbolt 手機則配備最高等級 768MB 的 DRAM 芯片。

這 4 款智能型手機的內(nèi)存配置均使用離散 DRAM 芯片，以及含 NAND快閃記憶芯片的標準方式。其他設(shè)備的內(nèi)存配置方式包括使用多芯片封裝 (MCP)，將 DRAM 和 NAND等不同的內(nèi)存整合成單一芯片等。

這些手機廠在優(yōu)化表現(xiàn)性能時，仍積極維持整體成本持平。因此這 4 款手機的材料費用表 (BOM) 中，內(nèi)存費用比例平均在15.7%，唯一超過這比例的只有 iPhone，iPhone 的內(nèi)存成本占整體 BOM 表高達 22.1%。

但即使手機廠努力縮限內(nèi)存成本，但智能型手機的 DRAM 平均密度仍會逐漸提升，預(yù)期明年智能型手機 DRAM 平均密度就會提高至715MB，較今年 461MB 的水平提高 55%，且短期看來，成長無可限量。