關鍵字： 晶圓制造 芯片 產能 LED 歐司朗光電半導體在擴大兩家芯片制造廠規(guī)模的同時，還將它們升級為 6 英寸晶圓制造基地，從而大幅提高產量。其中，馬來西亞檳城基地正在興建一座生產大樓，而德國雷根斯堡基地則正在重新劃撥現(xiàn)有廠房。這兩個基地都將采用新的制造技術，引入 6 英寸晶圓來替代目前的 4 英寸晶圓。采取這些措施后，到 2012 年底，白光 LED 的芯片產量將有望翻番。

通過這一系列舉措，歐司朗光電半導體將因應國際 LED 市場的增長潛力，趁勢擴充雷根斯堡和檳城兩個芯片制造基地的產能，進一步夯實其在國際市場的領先地位。檳城芯片制造廠開業(yè)不到兩年，如今已迎來擴建升級至 6 英寸晶圓制造基地的大好時機，總廠房面積到 2012 年將升至 25,000 平方米，新增 400 個工作崗位。在雷根斯堡基地，將重新規(guī)劃可用空間，最早于 2011 年夏開始對 InGaN（氮化銦鎵）生產進行逐步升級。

歐司朗光電半導體首席執(zhí)行官 Aldo Kamper 先生表示：“通過擴充高性能 InGaN 芯片的產能，我們正一如既往地鞏固我們的市場地位。LED 市場在許多不同的應用領域具有很大的增長潛力，我們將繼續(xù)利用這一推動力不斷成長。歐司朗光電半導體是歐司朗 LED 技術增值鏈中的一個重要環(huán)節(jié)。”

這次產能擴充主要會影響采用薄膜和 UX:3 技術的 InGaN 芯片，而這是生產白光 LED 時所必需的。今后，這些芯片都將從一開始就在 6 英寸晶圓上制造，而不再基于目前直徑為 4 英寸的晶圓。


芯片制造廠正在擴建：歐司朗光電半導體的馬來西亞檳城基地正在興建新廠房。
更大的芯片表面推高產能：歐司朗光電半導體正在將其 InGaN 芯片生產基地升級為 6 英寸晶圓基地。






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