意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）與法國CEA-Leti宣布，意法半導(dǎo)體將參加CEA-Leti推進(jìn)的無掩模光刻共同技術(shù)開發(fā)項(xiàng)目“IMAGINE”。該項(xiàng)目為期3年，旨在確立可實(shí)現(xiàn)采用了多光束方式電子束（EB）曝光設(shè)備“MAPPER”的LSI量產(chǎn)用光刻技術(shù)。臺積電（TSMC）已經(jīng)參加了該項(xiàng)目。

IMAGINE項(xiàng)目的研究對象包括曝光設(shè)備評估、實(shí)現(xiàn)采用該設(shè)備的圖形、工藝整合、掩模數(shù)據(jù)的處理技術(shù)、芯片制作以及成本分析等。尤其在電子束曝光技術(shù)的缺點(diǎn)——處理能力方面，目標(biāo)是將同時照射的電子束數(shù)量最終增至1萬個以上，這樣處理能力即可提高至10張/小時。

意法半導(dǎo)體的硅技術(shù)研發(fā)總監(jiān)Jo•l Hartmann表示：“對于意法半導(dǎo)體來說，參加IMAGINE項(xiàng)目是為了使用未來技術(shù)的無掩模光刻技術(shù)所必經(jīng)的一步，通過此次的共同開發(fā)，我們將在法國Crolles的試制生產(chǎn)線上確立多光束技術(shù)，并對電子束技術(shù)可導(dǎo)入CMOS工藝流程進(jìn)行驗(yàn)證。”