[導(dǎo)讀]國際DRAM廠相繼傳來調(diào)高資本支出的消息,韓國大廠海力士(Hynix)宣布調(diào)高2010年資本支出,預(yù)估將從1兆韓元調(diào)高至1.5兆韓元,相當于12.7億美元,雖然以全球的角度來看,2010年的資本支出仍高居全球第三大,然經(jīng)此一調(diào)高
國際DRAM廠相繼傳來調(diào)高資本支出的消息,韓國大廠海力士(Hynix)宣布調(diào)高2010年資本支出,預(yù)估將從1兆韓元調(diào)高至1.5兆韓元,相當于12.7億美元,雖然以全球的角度來看,2010年的資本支出仍高居全球第三大,然經(jīng)此一調(diào)高,海力士明年資本支出規(guī)模已經(jīng)接近華亞科(3474)的13.85億美元,且資本支出的規(guī)模也是2007年的高峰以來,最大規(guī)模的一次行動。
目前已知將調(diào)高資本支出的國際廠商包括爾必達、三星半導(dǎo)體、華邦電,上周25日,韓國大廠海力士也跟進宣布調(diào)高資本支出。
根據(jù)外電指出,海力士在呈交韓國證交所的文件中指出,該公司2010年的資本支出將調(diào)高至1.5兆韓元以上,較原先預(yù)估的1兆韓元,大幅增逾50%,在2010年度的資本支出當中,多數(shù)投資將用來提升制程技術(shù)以及因應(yīng)研發(fā)。
日前集邦科技(DRAMeXchange)公布的2010年全球DRAM廠資本支出統(tǒng)計中,海力士的資本支出約7億美元,規(guī)模僅次于三星半導(dǎo)體的25.78億美元,以及華亞科的13.85億美元,然海力士調(diào)高之后的資本支出,雖然還是高居全球第三大,卻與華亞科的13.85億美元趨近。
海力士的資本支出在2007年達到歷史巔峰,達23.12億美元,之后就呈現(xiàn)逐年衰退的情況,2010年已經(jīng)是2007年的高峰之后,首度突破10億美元的資本支出,以明年全球DRAM廠合計資本支出達78.5億美元計算,海力士的規(guī)模約當全球的16.1%。
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三星
Galaxy A14
LCD屏
10月3日,三星電子在美國加州硅谷舉辦“三星晶圓代工論壇&SAFE論壇”。論壇上三星芯片代工部門表示,將于2025年開始生產(chǎn)2nm制程工藝芯片,然后在2027年開始生產(chǎn)1.4nm工藝芯片。據(jù)了解,此前臺積電也曾規(guī)劃在20...
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三星
1.4nm
芯片
提到臺積電,相信大家都不陌生,作為全球頂尖的晶圓代工機構(gòu)。僅臺積電、三星兩家晶圓代工廠的市場份額,就占據(jù)了全球半導(dǎo)體市場的70%左右。
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3nm
芯片
三星
英國廣播公司《科學(xué)焦點雜志》網(wǎng)站5月22日刊登了題為《什么是摩爾定律?如今是否仍然適用?》的文章,摘要如下:
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摩爾定律
半導(dǎo)體
芯片
荷蘭ASML公司今天發(fā)布了Q3季度財報,凈營收同比增長10%至58億歐元,超出此前預(yù)期的53.9億歐元;凈利潤17.01億歐元,同比下降了2.24%,但表現(xiàn)也超出了預(yù)期的14.2億歐元。
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ASMl
光刻機
半導(dǎo)體
周四美股交易時段,受到“臺積電預(yù)期明年半導(dǎo)體行業(yè)可能衰退”的消息影響,包括英偉達、英特爾、阿斯麥等頭部公司均以大跌開盤,但在隨后兩個小時內(nèi)紛紛暴力拉漲,多家千億美元市值的巨頭較開盤低點向上漲幅竟能達到10%。
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臺積電
半導(dǎo)體
芯片
在需求不振和出口受限等多重因素的影響下,全球半導(dǎo)體廠商正在經(jīng)歷行業(yè)低迷期。主要芯片廠商和設(shè)備供應(yīng)商今年以來股價集體腰斬。
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芯片
廠商
半導(dǎo)體
iQOO Neo7 新品發(fā)布會將于 10 月 20 日 19:00 召開,官方已經(jīng)放出了新機的正面渲染圖,并給出了新機的更多配置信息。
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iQOO Neo7
三星
E5柔性直屏
在半導(dǎo)體制造中,《國際器件和系統(tǒng)路線圖》將5nm工藝定義為繼7nm節(jié)點之后的MOSFET 技術(shù)節(jié)點。截至2019年,三星電子和臺積電已開始5nm節(jié)點的有限風險生產(chǎn),并計劃在2020年開始批量生產(chǎn)。
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芯片
華為
半導(dǎo)體
在接下來的5G時代當中,華為也將會憑借著自身的優(yōu)勢,從而處于遙遙領(lǐng)先的地位,但其實厲害的又不僅僅是華為企業(yè),如今,作為國際巨頭的三星開始了在6G當中的研發(fā),6G接下來的網(wǎng)速,將會是5G的50倍,對于三星的這一個大動作,華...
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5G
6G
三星
(全球TMT2022年10月18日訊)10月18日,三星宣布,其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗證,可在驍龍(Snapdragon?)移動平臺上使用,該內(nèi)存速度可達到當前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒(Gbps)。通過...
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DRAM
GBPS
三星
LPDDR5
根據(jù)5G設(shè)備市場的調(diào)研數(shù)據(jù)當中來看,三星所拿下的5G設(shè)備市場份額就達到了10.4%,也就是說,排在了第四名的位置。
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6G
三星
華為
據(jù)業(yè)內(nèi)消息,目前三星正在研發(fā)一種智能戒指,佩戴后可以監(jiān)測使用者的活動健康數(shù)據(jù),因為輕便續(xù)航高且可長時間佩戴等優(yōu)點,不少業(yè)內(nèi)人士認為其會取代智能手環(huán)和手表。
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智能手環(huán)
智能手表
三星
智能戒指
據(jù)業(yè)內(nèi)消息,在剛剛過去的9月份,半導(dǎo)體行業(yè)的交貨期平均為26.3周,相比于上個月的27周縮短了4天,這是近年來交貨周期最大的降幅,充分表明了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)供應(yīng)危機正在緩解。
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半導(dǎo)體
北京時間10月18日消息,富士康周二表示,希望有一天能夠為特斯拉公司生產(chǎn)汽車。眼下,富士康正在加大電動汽車的制造力度,以實現(xiàn)業(yè)務(wù)多元化。
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富士康
芯片
半導(dǎo)體
特斯拉
近日,中國工程院院士倪光南在數(shù)字世界??闹赋觯恢币詠?,我國芯片產(chǎn)業(yè)在“主流 CPU”架構(gòu)上受制于人,在數(shù)字經(jīng)濟時代,建議我國積極抓住時代機遇,聚焦開源RISC-V架構(gòu),以全球視野積極謀劃我國芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
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倪光南
RISC-V
半導(dǎo)體
芯片
據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,在高通脹影響下,消費性產(chǎn)品需求疲軟,旺季不旺,第三季存儲器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減,各終端買方因存儲器需求明顯下滑而延緩采購,導(dǎo)致供應(yīng)商庫存壓力進一步升高。同時,各DRAM供應(yīng)...
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消費性
DRAM
智能手機
三星宣布,其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗證,可在驍龍(Snapdragon)移動平臺上使用,該內(nèi)存速度可達到當前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒(Gbps)。通過優(yōu)化應(yīng)用處理器和存儲器之間的高速信號環(huán)境,三星超過了自身...
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GBPS
三星
內(nèi)存
LPDDR5
- 在驍龍(Snapdragon)移動平臺上,三星以8.5Gbps的運行速度完成了LPDDR5X DRAM的驗證,為LPDDR(移動端)內(nèi)存打開了新市場。 深圳2022年10月18日 /美通社/ -- 10月18日,三...
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DRAM
GBPS
三星
LPDDR5