北京時(shí)間2月20日，IBM公司旗下研究公司成功地研究出了一種方法，可以用現(xiàn)有的設(shè)備生產(chǎn)出29.9納米的硅片，遠(yuǎn)比如今的芯片要小。這項(xiàng)技術(shù)進(jìn)步有助于在未來(lái)芯片生產(chǎn)中降低成本。

這項(xiàng)技術(shù)突破是圍繞著一種增強(qiáng)性和試驗(yàn)性的浸液光刻技術(shù)而展開(kāi)的。 在浸液光刻技術(shù)中，硅片是浸沒(méi)在純水之中的。 然后利用激光穿透一個(gè)復(fù)雜的蒙板，將一個(gè)微小的陰影圖投射到硅片上然后通過(guò)化學(xué)加工形成永久的結(jié)構(gòu)，這個(gè)過(guò)程與照片底片曬印的過(guò)程非常相似。 蒙板圖案制作得越復(fù)雜，最后得到的電路也就越小。

之所以將硅片浸沒(méi)在水中是因?yàn)楣庠谒械恼凵涑潭缺仍诳諝庵械恼凵涑潭纫笠恍?，因此也就更容易制作出清晰的分辨率和更小的圖案出來(lái)。 浸液光刻技術(shù)將在相對(duì)較近的未來(lái)投入商業(yè)使用之中。

在這個(gè)系統(tǒng)中，IBM公司將水換成了JSR Micro公司生產(chǎn)的一種特殊液體以及一種特殊的抗光蝕劑系統(tǒng)。

IBM公司旗下研究公司Almaden研究中心的光刻技術(shù)材料經(jīng)理Robert Allen說(shuō)：“我們通常都可以完成30納米以下的光刻工作?！?

如果Nemo系統(tǒng)最終得到商業(yè)應(yīng)用，那么業(yè)界將可以將目前的193納米光刻技術(shù)使用得更久一些。 基于這些標(biāo)準(zhǔn)的生產(chǎn)設(shè)備的成本為每臺(tái)1500萬(wàn)美元，可以向廠(chǎng)商定制，迄今為止已經(jīng)使用了好多年了。 這個(gè)名字來(lái)源于一個(gè)事實(shí)，即激光的波長(zhǎng)小于193納米。

用新技術(shù)生產(chǎn)出來(lái)的設(shè)備來(lái)替換這些設(shè)備并不是一件容易的事。 許多年以前，IBM公司曾經(jīng)是X光光刻技術(shù)的主要支持者之一。 那種方法確實(shí)有效，但是成本太高了。 在過(guò)去的十年中，英特爾公司與AMD公司和IBM公司一起，已經(jīng)研究出了超短紫外光光刻技術(shù)（Extreme Ultra Violet lithography，EUV）。

超短紫外光光刻技術(shù)目前仍只用于實(shí)驗(yàn)室之中。 雖然英特爾公司也許會(huì)在2009年或者2010年左右的時(shí)候在生產(chǎn)32納米制程的芯片中使用它，但是研究人員們說(shuō)直到開(kāi)發(fā)下一代芯片的時(shí)候英特爾公司才會(huì)使用它。屆時(shí)處理器的平均外形尺寸大概只有22納米了。

IBM公司對(duì)于Nemo非常有信心，它堅(jiān)信浸液光刻技術(shù)與193納米系統(tǒng)肯定可以用于32納米制程的芯片生產(chǎn)中。 Allen說(shuō)，但是，如果想將芯片生產(chǎn)推進(jìn)到22納米制程，則需要更好的浸液、其他的抗光蝕劑材料以及由目前尚未鑒別出來(lái)的一些物質(zhì)生產(chǎn)的透鏡。

IBM公司將在這個(gè)星期即將在加利福尼亞州圣約瑟市召開(kāi)的2006年微縮光刻技術(shù)大會(huì)上展示這一技術(shù)的研究成果。